[發明專利]膠粘薄膜、切割/芯片接合薄膜、半導體裝置的制造方法以及半導體裝置

在審

• 申請號: 201410171855.0
• 申請日: 2014-04-25
• 公開（公告）號: CN104119812A
• 公開（公告）日: 2014-10-29
• 發明（設計）人: 宍戶雄一郎;三隅貞仁;大西謙司
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: C09J7/00
• 分類號: C09J7/00;C09J7/02;H01L21/78
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王海川;穆德駿

1.一種膠粘薄膜，其為用于包埋固定在被粘物上的第一半導體元件并且將與該第一半導體元件不同的第二半導體元件固定到被粘物上的膠粘薄膜，其中，

含有熱塑性樹脂和熱固性樹脂，

以下式表示的熱塑性樹脂存在比為10％以上且30％以下，

熱塑性樹脂存在比(％)＝{A/(A+B)}×100

式中，A為熱塑性樹脂的重量，B為熱固性樹脂的重量。

2.如權利要求1所述的膠粘薄膜，其中，

120℃下的熔融粘度為100Pa·s以上且3000Pa·s以下。

3.如權利要求1所述的膠粘薄膜，其中，

所述熱塑性樹脂為丙烯酸類樹脂，

所述熱固性樹脂為環氧樹脂及酚醛樹脂中的一者或兩者。

4.如權利要求1所述的膠粘薄膜，其中，

熱固化前的25℃下的儲能彈性模量為10MPa以上且10000MPa以下。

5.如權利要求1所述的膠粘薄膜，其中，

含有無機填充劑，

該無機填充劑的含量為25～80重量％。

6.一種切割/芯片接合薄膜，其具有：

切割薄膜，所述切割薄膜具有基材和形成在該基材上的粘合劑層，和

層疊在所述粘合劑層上的權利要求1～5中任一項所述的膠粘薄膜。

7.一種半導體裝置的制造方法，其包括如下工序：

準備固定有第一半導體元件的被粘物的被粘物準備工序，

將權利要求6所述的切割/芯片接合薄膜的膠粘薄膜與半導體晶片貼合的貼合工序，

將所述半導體晶片和膠粘薄膜切割而形成第二半導體元件的切割工序，

將所述第二半導體元件與所述膠粘薄膜一起拾取的拾取工序，和

利用與所述第二半導體元件一起拾取的膠粘薄膜將固定在所述被粘物上的所述第一半導體元件包埋的同時將所述第二半導體元件固定到該被粘物上的固定工序。

8.如權利要求7所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述膠粘薄膜具有比所述第一半導體元件的厚度T₁厚的厚度T，

所述被粘物與所述第一半導體元件通過引線接合法連接，并且所述厚度T與所述厚度T₁之差為40μm以上且260μm以下。

9.如權利要求7所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述膠粘薄膜具有比所述第一半導體元件的厚度T₁厚的厚度T，

所述被粘物與所述第一半導體元件通過倒裝法連接，并且所述厚度T與所述厚度T₁之差為10μm以上且200μm以下。

10.通過權利要求7～9中任一項所述的半導體裝置的制造方法得到的半導體裝置。