[發明專利]閃存制造方法

有效

• 申請號: 201410171809.0
• 申請日: 2014-04-25
• 公開（公告）號: CN105097702B
• 公開（公告）日: 2018-02-09
• 發明（設計）人: 萬宇;陳應杰
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 屈蘅,李時云

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，特別涉及一種閃存制造方法。

背景技術

存儲器用于儲存大量數字信息，多年來，工藝技術的進步和市場需求催生越來越多高密度的各類型存儲器，其中，閃存(Flash memory)由其具有壽命長、集成度高、存取速度快、易于擦除和重寫等優點被廣泛應用在各類電子產品諸如智能卡、SIM卡、微處理器、手機中。

通常，一個典型的閃存器件包括存儲區域和外圍電路區域(periphery)，其中存儲區域包括了存儲單元部分(cell)，外圍電路區域包括各類晶體管。為了提高集成度和工藝效率，嵌入式閃存技術將閃存工藝嵌入到標準的邏輯或混合電路工藝中。

具體地說，現有的嵌入式閃存制造流程通常包括如下步驟：

參照圖1A，提供半導體襯底101，所述半導體襯底101包括第一區域111和第二區域122，所述第一區域111用于形成閃存結構，所述第一區域111進一步包括外圍電路區域113和存儲單元區域112，所述第二區域122用于進行標準邏輯電路工藝；

參照圖1B，在第一區域111形成第一多晶硅層105，用以形成閃存結構的浮柵和選擇柵，在第一區域111和第二區域122上形成第二多晶硅層104，用以形成閃存結構的控制柵以及標準邏輯電路中晶體管的柵極；

參照圖1C，對所述第一區域111的第一多晶硅層105和第二多晶硅層104進行光刻和刻蝕工藝形成堆疊柵結構；

參照圖1D，在所述堆疊柵結構兩側形成側墻106；

參照圖1E，對第二多晶硅層104進行光刻和刻蝕工藝，以去除第一區域111部分堆疊柵結構的第二多晶硅層104，并在第二區域形成柵極結構。

實踐中發現，上述方法易在第一區域部分側墻106的角落處形成多晶硅殘留109，影響器件的性能和可靠性。

發明內容

本發明提供一種閃存制造方法，以解決側墻角落處易殘留多晶硅的問題。

為解決上述技術問題，本發明提供一種閃存制造方法，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底包括第一區域和第二區域，所述第一區域包括外圍電路區域和存儲單元區域；

在所述第一區域上依次形成第一多晶硅層和隧穿氧化層，在所述第一區域和第二區域上形成第二多晶硅層；

對所述第一區域上的第一多晶硅層和第二多晶硅層進行光刻和刻蝕工藝形成堆疊柵結構；

對所述第二多晶硅層進行光刻和刻蝕工藝，以去除所述存儲單元區域的部分區域以及外圍電路區域上的堆疊柵結構的第二多晶硅層，形成第一柵極結構，并在所述第二區域上形成第二柵極結構；

在所述堆疊柵結構、第一柵極結構和第二柵極結構兩側形成側墻；以及

去除所述第二區域上的側墻。

可選的，在所述的閃存制造方法中，所述第一多晶硅層的厚度為所述第二多晶硅層的厚度為所述隧穿氧化層的厚度為

可選的，在所述的閃存制造方法中，利用化學氣相沉積工藝形成所述第一多晶硅層和第二多晶硅層。

可選的，在所述的閃存制造方法中，采用干法刻蝕工藝去除所述存儲單元區域的部分區域以及所述外圍電路區域上的堆疊柵結構的第二多晶硅層，所述干法刻蝕工藝采用的刻蝕氣體為HBr、Cl₂或HeO₂中的一種或幾種。

可選的，在所述的閃存制造方法中，去除所述第二區域柵極的側墻的步驟為：在所述第一區域上形成掩膜層；利用濕法刻蝕工藝去除所述第二區域上的側墻；以及去除所述掩膜層。

可選的，在所述的閃存制造方法中，所述掩膜層為二氧化硅。

與現有技術相比，本發明對第二多晶硅層進行光刻和刻蝕工藝之后再形成側墻，避免側墻影響第二多晶硅的刻蝕，最后再去除第二區域上的側墻，這樣并不會造成多晶硅殘留的缺陷，有利于提高器件的性能和可靠性。

附圖說明

圖1A至1E為現有的閃存制造方法各步驟的剖面結構示意圖；

圖2為本發明一實施例所提供的閃存制造方法的流程圖；

圖3A至圖3F為本發明一實施例所提供的閃存制造方法各步驟的剖面結構示意圖。

具體實施方式