[發(fā)明專利]閃存制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410171809.0
• 申請(qǐng)日: 2014-04-25
• 公開（公告）號(hào): CN105097702B
• 公開（公告）日: 2018-02-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 萬宇;陳應(yīng)杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/115
• 分類號(hào): H01L27/115
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31237
• 代理人: 屈蘅,李時(shí)云

1.一種閃存制造方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域包括外圍電路區(qū)域和存儲(chǔ)單元區(qū)域；

在所述第一區(qū)域上依次形成第一多晶硅層和隧穿氧化層，在所述第一區(qū)域和第二區(qū)域上形成第二多晶硅層，所述第二多晶硅層覆蓋所述隧穿氧化層；

對(duì)所述第一區(qū)域上的第一多晶硅層和第二多晶硅層進(jìn)行光刻和刻蝕工藝形成堆疊柵結(jié)構(gòu)；

對(duì)所述第二多晶硅層進(jìn)行光刻和刻蝕工藝，以去除所述存儲(chǔ)單元區(qū)域的部分區(qū)域以及所述外圍電路區(qū)域上的堆疊柵結(jié)構(gòu)的第二多晶硅層，形成第一柵極結(jié)構(gòu)，并在所述第二區(qū)域上形成第二柵極結(jié)構(gòu)；

在所述堆疊柵結(jié)構(gòu)、第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成側(cè)墻；以及

去除所述第二區(qū)域上的側(cè)墻。

2.如權(quán)利要求1所述的閃存制造方法，其特征在于，所述第一多晶硅層的厚度為

3.如權(quán)利要求1所述的閃存制造方法，其特征在于，所述第二多晶硅層的厚度為

4.如權(quán)利要求1所述的閃存制造方法，其特征在于，所述隧穿氧化層的厚度為

5.如權(quán)利要求1所述的閃存制造方法，其特征在于，利用化學(xué)氣相沉積工藝形成所述第一多晶硅層和第二多晶硅層。

6.如權(quán)利要求1所述的閃存制造方法，其特征在于，采用干法刻蝕工藝去除所述存儲(chǔ)單元區(qū)域的部分區(qū)域以及所述外圍電路區(qū)域上的堆疊柵結(jié)構(gòu)的第二多晶硅層。

7.如權(quán)利要求6所述的閃存制造方法，其特征在于，所述干法刻蝕工藝采用刻蝕氣體為HBr、Cl₂或HeO₂中的一種或幾種。

8.如權(quán)利要求1所述的閃存制造方法，其特征在于，去除所述第二區(qū)域上的側(cè)墻的步驟包括：

在所述第一區(qū)域上形成掩膜層；

利用濕法刻蝕工藝去除所述第二區(qū)域上的側(cè)墻；以及

去除所述掩膜層。

9.如權(quán)利要求8所述的閃存制造方法，其特征在于，所述掩膜層為二氧化硅。