[發(fā)明專利]制造納米級(jí)結(jié)構(gòu)的方法和由此制造的納米級(jí)結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410171189.0
• 申請(qǐng)日: 2014-04-25
• 公開（公告）號(hào): CN104681717B
• 公開（公告）日: 2018-11-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 潘槿道;卜喆圭;金明洙;李政衡;沈炫冏;吳昌一
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號(hào): H01L45/00
• 分類號(hào): H01L45/00;H01L21/8239;H01L21/027
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;毋二省

提供了制造納米級(jí)結(jié)構(gòu)的方法。所述方法包括以下步驟：在密集區(qū)中形成與第一開口相對(duì)應(yīng)的第一硬掩模圖案；在第一硬掩模圖案上與第一開口對(duì)準(zhǔn)形成第一引導(dǎo)元件；以及在稀疏區(qū)中形成第二硬掩模圖案以提供隔離圖案。在稀疏區(qū)中形成阻擋層以覆蓋第二硬掩模圖案。利用嵌段共聚物層的相分離而在密集區(qū)中形成第一疇和第二疇。也提供了相關(guān)的納米級(jí)結(jié)構(gòu)。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求2013年12月2日向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2013-0148251的韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過引用合并于此。

背景技術(shù)

在制造諸如半導(dǎo)體器件的電子器件時(shí)，很多努力集中在將更多的圖案集成在半導(dǎo)體襯底的有限面積中。即，對(duì)增大諸如半導(dǎo)體器件的電子器件的集成密度的嘗試典型地集中于精細(xì)圖案的形成。已經(jīng)提出了各種技術(shù)來(lái)形成精細(xì)圖案，諸如具有納米級(jí)臨界尺寸(CD)的小接觸孔，尺寸為大約幾納米至大約幾十納米。在半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案僅利用光刻工藝形成的情況下，由于在光刻工藝中使用的光刻裝置的圖像分辨率限制，所以在形成精細(xì)圖案時(shí)會(huì)存在一些限制。

利用聚合物分子的自組裝來(lái)形成精細(xì)圖案的方法可以被看作候選，用于克服光刻工藝中所用的光學(xué)系統(tǒng)的圖像分辨率限制并且用于克服光刻工藝中所用的光學(xué)系統(tǒng)的光源產(chǎn)生的光的波長(zhǎng)。然而，利用自組裝技術(shù)形成精細(xì)圖案的方法正在發(fā)展。因而，在利用自組裝技術(shù)形成高集成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案中仍存在一些困難。

發(fā)明內(nèi)容

各種實(shí)施例涉及制造納米級(jí)結(jié)構(gòu)的方法和由此制造的納米級(jí)結(jié)構(gòu)。

根據(jù)一些實(shí)施例，一種制造納米級(jí)結(jié)構(gòu)的方法包括以下步驟：在硬掩模層上形成限定第一開口的第一初級(jí)掩模圖案、和提供隔離圖案的第二初級(jí)掩模圖案；在第一開口的側(cè)壁上形成第一引導(dǎo)元件，并且在第二初級(jí)掩模圖案的側(cè)壁上形成第二引導(dǎo)元件；利用第一引導(dǎo)元件和第二引導(dǎo)元件以及第一初級(jí)掩模圖案和第二初級(jí)掩模圖案作為刻蝕掩模來(lái)刻蝕硬掩模層，以形成第一開口延伸于其中的第一硬掩模圖案和具有隔離圖案的形狀的第二硬掩模圖案；去除第一初級(jí)掩模圖案和第二初級(jí)掩模圖案；形成覆蓋第二硬掩模圖案的阻擋層；形成嵌段共聚物層，所述嵌段共聚物層填充具有由第一引導(dǎo)元件限定的側(cè)壁的第一開口和在第一引導(dǎo)元件之間的空間；以及將嵌段共聚物層相分離以在第一引導(dǎo)元件之間的空間中形成第一疇和第二疇。

根據(jù)另外的實(shí)施例，一種制造納米級(jí)結(jié)構(gòu)的方法包括以下步驟：提供限定第一開口的下部的第一硬掩模圖案、設(shè)置在第一硬掩模圖案上并且與第一開口對(duì)準(zhǔn)的第一引導(dǎo)元件、以及與隔離圖案相對(duì)應(yīng)的第二硬掩模圖案；形成覆蓋第二硬掩模圖案的阻擋層；形成填充第一開口以及在第一引導(dǎo)元件之間的空間的嵌段共聚物層；以及將嵌段共聚物層相分離以在第一引導(dǎo)元件之間的空間中形成第一疇和第二疇。

根據(jù)另外的實(shí)施例，一種制造納米級(jí)結(jié)構(gòu)的方法包括以下步驟：提供限定第一開口的第一硬掩模圖案和與隔離圖案相對(duì)應(yīng)的第二硬掩模圖案；形成覆蓋第二硬掩模圖案的阻擋層；形成覆蓋第一硬掩模圖案的嵌段共聚物層；以及將嵌段共聚物層相分離，以在第一硬掩模圖案的第一開口之間的部分上形成第一疇和第二疇。

根據(jù)另外的實(shí)施例，一種制造納米級(jí)結(jié)構(gòu)的方法包括以下步驟：在密集區(qū)中提供限定第一開口的下部的第一硬掩模圖案；在第一硬掩模圖案上提供第一引導(dǎo)元件，所述引導(dǎo)元件限定第一開口的上部；在稀疏區(qū)中提供第二硬掩模圖案，每個(gè)第二硬掩模圖案與隔離圖案相對(duì)應(yīng)；在稀疏區(qū)中形成覆蓋第二硬掩模圖案的阻擋層；以及利用嵌段共聚物層的相分離在密集區(qū)中形成第一疇和第二疇。

根據(jù)另外的實(shí)施例，一種納米級(jí)結(jié)構(gòu)包括：限定第一開口的第一硬掩模圖案、與隔離圖案相對(duì)應(yīng)的第二硬掩模圖案、被設(shè)置在第一硬掩模圖案上并且與第一開口對(duì)準(zhǔn)的第一引導(dǎo)元件、覆蓋第二硬掩模圖案的阻擋層、被設(shè)置在第一引導(dǎo)元件之間的空間中的第一疇、以及在由第一疇限定的空間中的第二疇，其中，第一疇和第二疇由嵌段共聚物層的相分離獲得。

附圖說(shuō)明

結(jié)合附圖和所附詳細(xì)描述，本公開的實(shí)施例將變得更加顯然，其中：