[發明專利]制造納米級結構的方法和由此制造的納米級結構

有效

• 申請號: 201410171189.0
• 申請日: 2014-04-25
• 公開（公告）號: CN104681717B
• 公開（公告）日: 2018-11-27
• 發明（設計）人: 潘槿道;卜喆圭;金明洙;李政衡;沈炫冏;吳昌一
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;H01L21/8239;H01L21/027
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;毋二省

1.一種制造納米級結構的方法，所述方法包括以下步驟：

在硬掩模層上形成限定第一開口的第一初級掩模圖案、和提供隔離圖案的第二初級掩模圖案；

在所述第一開口的側壁上形成第一引導元件，并且在第二初級掩模圖案的側壁上形成第二引導元件；

利用所述第一引導元件和所述第二引導元件以及所述第一初級掩模圖案和所述第二初級掩模圖案作為刻蝕掩模來刻蝕所述硬掩模層，以形成所述第一開口延伸于其中的第一硬掩模圖案、和具有所述隔離圖案的形狀的第二硬掩模圖案；

去除所述第一初級掩模圖案和所述第二初級掩模圖案；

形成覆蓋所述第二硬掩模圖案的阻擋層；

形成嵌段共聚物層，所述嵌段共聚物層填充具有由所述第一引導元件限定的側壁的所述第一開口和在所述第一引導元件之間的空間；以及

將所述嵌段共聚物層相分離，以在所述第一引導元件之間的空間中形成第一疇和第二疇。

2.如權利要求1所述的方法，還包括以下步驟：

去除所述第二疇以暴露出所述第一硬掩模圖案的部分；以及

刻蝕所述第一硬掩模圖案的暴露出的部分以在所述第一開口之間形成第二開口。

3.如權利要求1所述的方法，其中，每個所述第一開口具有孔形。

4.如權利要求1所述的方法，

其中，每個所述第一開口具有孔形，以及

其中，每個所述第一開口具有大體相同的尺寸，并且所述第一開口以預定的節距規則地排列。

5.如權利要求1所述的方法，

其中，每個所述第一開口具有溝槽線形狀或者凹槽線形狀，以及

其中，每個所述第一開口具有大體相同的尺寸，并且所述第一開口以預定的節距規則地排列。

6.如權利要求1所述的方法，

其中，所述隔離圖案以比所述第一開口之間的距離大的距離彼此間隔開，以及

其中，所述隔離圖案具有隔離線形狀。

7.如權利要求1所述的方法，其中，所述第一初級掩模圖案和所述第二初級掩模圖案利用單個圖案化步驟來同時形成。

8.如權利要求1所述的方法，其中，所述第一初級掩模圖案和所述第二初級掩模圖案利用單個光刻步驟來形成，所述單個光刻步驟用單個光掩模和單個刻蝕步驟來執行。

9.如權利要求1所述的方法，其中，形成所述第一初級掩模圖案和所述第二初級掩模圖案的步驟包括：

在所述硬掩模層上形成初級掩模層；

在所述初級掩模層上形成光刻膠層；

形成限定所述第一開口和所述隔離圖案的光刻膠圖案；以及

利用所述光刻膠圖案作為刻蝕掩模來刻蝕所述初級掩模層。

10.如權利要求1所述的方法，其中，所述第一初級掩模圖案和所述第二初級掩模圖案包括旋涂碳層。

11.如權利要求1所述的方法，其中，形成所述第一引導元件和所述第二引導元件的步驟包括以下步驟：

形成覆蓋所述第一初級掩模圖案和所述第二初級掩模圖案的引導層；以及

各向異性地刻蝕所述引導層，以在所述第一開口的側壁上和在所述第二初級掩模圖案的側壁上形成間隔件。

12.如權利要求1所述的方法，

其中，所述第一引導元件被排列成使得：按照平面圖，沿著對角線排列的所述第一引導元件之間的距離大于沿著行方向或列方向排列的所述第一引導元件之間的距離；以及

其中，所述第二疇形成在沿著所述對角線排列的所述第一引導元件之間的空間的中心部分。

13.如權利要求12所述的方法，其中，每個所述第一引導元件具有限定所述第一開口的上部的圓柱形形狀，以及

其中，所述第一開口具有孔形。