[發明專利]硅控整流器

在審

• 申請號: 201410169180.6
• 申請日: 2014-04-24
• 公開（公告）號: CN105023913A
• 公開（公告）日: 2015-11-04
• 發明（設計）人: 洪崇佑;李建興;高字成;黃宗義
• 申請（專利權）人: 立锜科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/60
• 分類號: H01L23/60
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 許志勇;郭仁智

技術領域

本發明有關本發明有關靜電放電保護裝置，尤指一種用于為高壓電路提供靜電防護的硅控整流器。?

背景技術

在相關領域中，硅控整流器(silicon?controlled?rectifier，SCR)常被用來作為靜電防護裝置(electrostatic?discharge?protection?device，ESD?protection?device)。由于硅控整流器在運作時會產生正反饋效應，所以保持電壓(holding?voltage)通常會偏低，使得傳統硅控整流器只適合用來作為操作電壓在5V以下的集成電路的靜電防護裝置。?

傳統上，可藉由增加硅控整流器的信道長度、或是使用其他額外輔助電路的方式，來提高硅控整流器的保持電壓。然而，增加硅控整流器的信道長度必然會導致硅控整流器的尺寸隨之變大，而使用其他額外輔助電路則會增加整體電路的設計復雜度和成本。因此，前述的兩種方式并不是理想的解決方案。?

發明內容

有鑒于此，如何在不增加硅控整流器的信道長度和使用額外輔助電路的情況下，便能有效提高硅控整流器的保持電壓，實為業界有待解決的問題。?

本說明書提供一種硅控整流器的實施例，其包含：一基板；一N井區，設置于該基板的一第一側；一P井區，設置于該基板的該第一側，且與該N井區相鄰；一第一N型摻雜區，設置于該N井區的一上表面；一第一P型摻雜區，設置于該N井區的該上表面，且與該第一N型摻雜區相鄰；一第二N型摻雜區，設置于該P井區的一上表面；一第二P型摻雜區，設置于該P井區的該上表面；一第一氧化隔離區，設置于該N井區的該上表面的局部區域?與該P井區的該上表面的局部區域，并隔離該第一P型摻雜區與該第二N型摻雜區；一第二氧化隔離區，設置于該P井區的該上表面的局部區域，并隔離該第二N型摻雜區與該第二P型摻雜區；一陽極端，耦接于該第一N型摻雜區與該第一P型摻雜區；以及一陰極端，耦接于該第二N型摻雜區與該第二P型摻雜區；其中，該第一P型摻雜區的離子摻雜濃度低于該第二P型摻雜區的離子摻雜濃度的百分之八十。?

上述實施例的優點之一，是無需增加硅控整流器的信道長度和使用額外輔助電路，便能有效提高硅控整流器的保持電壓。?

上述實施例的另一優點，是可大幅擴展硅控整流器的應用范圍，使得硅控整流器得以被更廣泛地運用在各式高壓集成電路的靜電防護上。?

本發明的其他優點將藉由以下的說明和附圖進行更詳細的解說。?

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本申請的進一步理解，構成本申請的一部分，本申請的示意性實施例及其說明用于解釋本申請，并不構成對本申請的不當限定。?

圖1為本發明一實施例的硅控整流器簡化后的剖面圖。?

【符號說明】?

100???硅控整流器?

110???基板?

120???N井區?

122、132???N型摻雜區?

124???第一P型摻雜區?

130???P井區?

134???第二P型摻雜區?

142、144???氧化隔離區?

150???陽極端?

160???陰極端?

具體實施方式

以下將配合相關附圖來說明本發明的實施例。在附圖中，相同的標號表示相同或類似的元件或方法流程。?

圖1為本發明一實施例的硅控整流器100簡化后的剖面圖。硅控整流器100包含一基板110、一N井區(N?well)120、一P井區(P?well)130、一第一N型摻雜區(N-type?doped?region,N?region)122、一第一P型摻雜區(P-type?doped?region,P?region)124、一第二N型摻雜區132、一第二P型摻雜區134、一第一氧化隔離區(oxide?isolation?region)142、一第二氧化隔離區144、一陽極端(anode?terminal)150、以及一陰極端(cathode?terminal)160。?