[發明專利]硅控整流器在審
| 申請號： | 201410169180.6 | 申請日： | 2014-04-24 |
| 公開（公告）號： | CN105023913A | 公開（公告）日： | 2015-11-04 |
| 發明（設計）人： | 洪崇佑;李建興;高字成;黃宗義 | 申請（專利權）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/60 | 分類號： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315 | 代理人： | 許志勇;郭仁智 |
| 地址： | 中國臺灣新竹縣*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 整流器 | ||
1.一種硅控整流器，其包含：
一基板；
一N井區，設置于該基板的一第一側；
一P井區，設置于該基板的該第一側，且與該N井區相鄰；
一第一N型摻雜區，設置于該N井區的一上表面；
一第一P型摻雜區，設置于該N井區的該上表面，且與該第一N型摻雜區相鄰；
一第二N型摻雜區，設置于該P井區的一上表面；
一第二P型摻雜區，設置于該P井區的該上表面；
一第一氧化隔離區，設置于該N井區的該上表面的局部區域與該P井區的該上表面的局部區域，并隔離該第一P型摻雜區與該第二N型摻雜區；
一第二氧化隔離區，設置于該P井區的該上表面的局部區域，并隔離該第二N型摻雜區與該第二P型摻雜區；
一陽極端，耦接于該第一N型摻雜區與該第一P型摻雜區；以及
一陰極端，耦接于該第二N型摻雜區與該第二P型摻雜區；
其中，該第一P型摻雜區的離子摻雜濃度低于該第二P型摻雜區的離子摻雜濃度的百分之八十。
2.如權利要求1的硅控整流器，其中，該基板為一N型深埋層。
3.如權利要求1的硅控整流器，其中，該N井區與該P井區皆直接位在該基板的該第一側上。
4.如權利要求1的硅控整流器，其中，該N井區與該P井區皆設置于該基板的該第一側上方。
5.如權利要求1的硅控整流器，其中，該第一P型摻雜區的離子摻雜濃度低于該第二P型摻雜區的離子摻雜濃度的三分之一。
6.如權利要求1的硅控整流器，其中，該第一P型摻雜區的離子摻雜濃度介于每立方公分1E13個離子至每立方公分1E14個離子的范圍，而該第二P型摻雜區的離子摻雜濃度大于每立方公分3E14個離子。
7.如權利要求1的硅控整流器，其中，該第一N型摻雜區與該第二N型摻雜區皆為一N+摻雜區，且該第二P型摻雜區為一P+摻雜區。
8.如權利要求7的硅控整流器，其中，該第一P型摻雜區為一P-摻雜區。
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