[發明專利]OLED面板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201410169083.7 | 申請日: | 2014-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN103996693A | 公開(公告)日: | 2014-08-20 |
| 發明(設計)人: | 皇甫魯江;馬文昱;石磊;張粲;梁逸南 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 面板 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種OLED面板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術
有機發光二極管(Organic?Light?Emitting?Diode,簡稱OLED)單元是一種有機薄膜電致發光器件,其具有制備工藝簡單、成本低、發光效率高、易形成柔性結構、視角寬等優點。因此,利用有機發光二極管的顯示技術已成為一種重要的顯示技術。
其中,OLED單元包括陽極層、陰極層和有機發光層,陽極層和陰極層之間具有一定的電壓差激發有機發光層發光,但由于OLED單元的有機發光層通常封裝在陰極層和陽極層之間,無論OLED單元的出光面在陰極層一側還是陽極層一側,都會因為陰極層或陽極層的折射率遠大于空氣的折射率使得有機發光層發出的光大部分在表面發生全反射,之后在有機發光層內部傳播,導致現有技術中的OLED單元的出光率較低,一般僅有不到20%,降低了對OLED單元發出的光的利用率,影響了OLED面板的顯示質量。
發明內容
本發明所要解決的技術問題在于提供一種OLED面板及其制備方法、顯示裝置,能夠提高對OLED單元發出的光的利用率,提高OLED面板的發光效率,提高OLED面板的顯示質量。
為解決上述技術問題,本發明采用如下技術方案:
本發明第一方面提供了一種OLED面板,包括:襯底基板,形成于所述襯底基板上的若干個OLED單元,所述OLED單元包括第一絕緣襯底、陽極層、有機發光層和陰極層,所述OLED面板還包括:
形成于所述襯底基板上的、設置于所述OLED單元周邊,部分或完全包圍所述OLED單元的反射結構,所述反射結構形成有反射面,所述反射面用于將所述有機發光層側面終端發出的光反射至所述OLED面板外。
所述反射結構包括第二絕緣襯底和金屬層,所述第二絕緣襯底位于所述OLED單元周邊,部分或完全包圍所述OLED單元,所述金屬層形成于所述第二絕緣襯底的表面,所述金屬層面向所述OLED單元的一面為反射面。
所述第二絕緣襯底形成有開口,所述開口部分或完全包圍所述OLED單元,所述開口的底表面的面積尺寸小于頂表面的面積尺寸,并且所述頂表面的垂向投影覆蓋所述底表面。
所述第二絕緣襯底的高度大于所述OLED單元的高度。
所述開口的表面為平面或弧面。
所述金屬層與所述陽極層同時形成。
在本發明實施例的技術方案中,提供了一種OLED面板,該OLED面板包括OLED單元和設置于所述OLED單元周邊,部分或完全包圍所述OLED單元的反射結構,所述反射結構形成有反射面,所述反射面用于將所述有機發光層側面終端發出的光反射至所述OLED面板外,顯然,無法從OLED的出光面發出的光才能從有機發光層的側面終端發出,因此,設置有反光結構可充分利用OLED的有機發光層發出的光,有利于提高顯示裝置的顯示效果。
本發明第二方面提供了一種顯示裝置,包括上述的OLED面板。
本發明第三方面提供了一種OLED面板的制備方法,包括:
在襯底基板上形成OLED單元;
在所述襯底基板上形成反射結構,所述反射結構位于所述OLED單元周邊,部分或完全包圍所述OLED單元,所述反射結構形成有反射面;
其中,所述OLED單元包括第一絕緣襯底、陽極層、有機發光層和陰極層,所述反射面用于將所述有機發光層側面終端發出的光反射至所述OLED面板外。
所述在襯底基板上形成反射結構包括:
在所述襯底基板上形成第二絕緣襯底,所述第二絕緣襯底位于周邊,部分或完全包圍OLED單元;
在所述第二絕緣襯底的表面形成金屬層,所述金屬層面向所述OLED單元的一面為反射面。
所述形成第二絕緣襯底,所述第二絕緣襯底位于所述OLED單元的周邊,部分或完全包圍OLED單元包括:
形成所述第二絕緣襯底,并形成所述第二絕緣襯底的開口,所述開口部分或完全包圍所述OLED單元,所述開口的底表面的面積尺寸小于頂表面的面積尺寸,并且所述頂表面的垂向投影覆蓋所述底表面。
所述第二絕緣襯底的高度大于所述OLED單元的高度。
所述開口的表面為平面或弧面。
所述金屬層與所述陽極層同時形成。
附圖說明
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





