[發明專利]OLED面板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201410169083.7 | 申請日: | 2014-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN103996693A | 公開(公告)日: | 2014-08-20 |
| 發明(設計)人: | 皇甫魯江;馬文昱;石磊;張粲;梁逸南 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 面板 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種OLED面板,包括:襯底基板,形成于所述襯底基板上的若干個OLED單元,所述OLED單元包括第一絕緣襯底、陽極層、有機發光層和陰極層,其特征在于,所述OLED面板還包括:
形成于所述襯底基板上的、設置于所述OLED單元周邊,部分或完全包圍所述OLED單元的反射結構,所述反射結構形成有反射面,所述反射面用于將所述有機發光層側面終端發出的光反射至所述OLED面板外。
2.根據權利要求1所述的OLED面板,其特征在于,所述反射結構包括第二絕緣襯底和金屬層,所述第二絕緣襯底位于所述OLED單元周邊,部分或完全包圍所述OLED單元,所述金屬層形成于所述第二絕緣襯底的表面,所述金屬層面向所述OLED單元的一面為反射面。
3.根據權利要求2所述的OLED面板,其特征在于,所述第二絕緣襯底形成有開口,所述開口部分或完全包圍所述OLED單元,所述開口的底表面的面積尺寸小于頂表面的面積尺寸,并且所述頂表面的垂向投影覆蓋所述底表面。
4.根據權利要求3所述的OLED面板,其特征在于,所述第二絕緣襯底的高度大于所述OLED單元的高度。
5.根據權利要求3或4所述的OLED面板,其特征在于,所述開口的表面為平面或弧面。
6.根據權利要求5所述的OLED面板,其特征在于,所述金屬層與所述陽極層同時形成。
7.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求1-6任一項所述的OLED面板。
8.一種OLED面板的制備方法,其特征在于,包括:
在襯底基板上形成OLED單元;
在所述襯底基板上形成反射結構,所述反射結構位于所述OLED單元周邊,部分或完全包圍所述OLED單元,所述反射結構形成有反射面;
其中,所述OLED單元包括第一絕緣襯底、陽極層、有機發光層和陰極層,所述反射面用于將所述有機發光層側面終端發出的光反射至所述OLED面板外。
9.根據權利要求8所述的制備方法,其特征在于,所述在襯底基板上形成反射結構包括:
在所述襯底基板上形成第二絕緣襯底,所述第二絕緣襯底位于所述OLED單元的周邊,部分或完全包圍OLED單元;
在所述第二絕緣襯底的表面形成金屬層,所述金屬層面向所述OLED單元的一面為反射面。
10.根據權利要求9所述的制備方法,其特征在于,所述形成第二絕緣襯底,所述第二絕緣襯底位于所述OLED單元的周邊,部分或完全包圍OLED單元包括:
形成所述第二絕緣襯底,并形成所述第二絕緣襯底的開口,所述開口部分或完全包圍所述OLED單元,所述開口的底表面的面積尺寸小于頂表面的面積尺寸,并且所述頂表面的垂向投影覆蓋所述底表面。
11.根據權利要求10所述的制備方法,其特征在于,所述第二絕緣襯底的高度大于所述OLED單元的高度。
12.根據權利要求10或11所述的制備方法,其特征在于,所述開口的表面為平面或弧面。
13.根據權利要求12所述的制備方法,其特征在于,所述金屬層與所述陽極層同時形成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





