[發(fā)明專利]發(fā)光器件和發(fā)光器件封裝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410167978.7 | 申請日： | 2011-02-18 |
| 公開（公告）號： | CN103996776B | 公開（公告）日： | 2017-07-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 裵貞赫;鄭泳奎;樸徑旭;樸德炫 | 申請（專利權(quán)）人： | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/38 | 分類號： | H01L33/38;H01L33/44;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11219 | 代理人： | 周燕,夏凱 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光 器件 封裝 | ||
1.一種發(fā)光器件，包括：
導(dǎo)電支撐構(gòu)件；
在所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件上的發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、在所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、以及在所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間的有源層；
反射層，所述反射層設(shè)置在所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件的上表面上；
附著層，所述附著層設(shè)置在所述反射層和所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件之間；
保護(hù)構(gòu)件，所述保護(hù)構(gòu)件設(shè)置在所述反射層的上表面的外圍區(qū)域上；
電極，所述電極連接到所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的上表面；以及
在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)表面和所述電極之間的絕緣層，
其中，所述保護(hù)構(gòu)件設(shè)置在所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和所述反射層之間，以及
其中，所述電極的至少一部分設(shè)置在所述保護(hù)構(gòu)件上，
其中，所述電極包括在所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上的上部、從所述上部延伸并且在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)表面上的側(cè)部、以及從所述側(cè)部延伸并且在所述保護(hù)構(gòu)件上的延伸部，
其中，所述電極的上部被電氣地連接到所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，
其中，所述電極包括連接到所述延伸部的具有開口的圖案，以及
其中，所述電極的上部具有設(shè)置在所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的上表面上的開口，
其中，所述絕緣層設(shè)置在所述電極的延伸部和所述保護(hù)構(gòu)件之中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)表面傾斜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括在所述延伸部的至少一部分上的結(jié)合金屬層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中，所述電極包括金屬。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中，所述電極包括透明材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中，所述電極具有多個層。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其中，所述電極和所述結(jié)合金屬層具有彼此不同的材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的發(fā)光器件，其中，所述絕緣層具有透明材料以便最小化光損耗。
9.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的發(fā)光器件，其中，所述電極的圖案包括柵格圖案、螺線狀或者螺旋狀圖案中的至少一個。
10.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的發(fā)光器件，其中，所述保護(hù)構(gòu)件的上表面被暴露。
11.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的發(fā)光器件，其中，所述電極的側(cè)部具有線狀。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中，所述電極設(shè)置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的整個區(qū)域和所述保護(hù)構(gòu)件上。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括歐姆接觸層，所述歐姆接觸層設(shè)置在所述反射層的上表面上和所述保護(hù)構(gòu)件內(nèi)部。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中，所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層包括n型半導(dǎo)體層并且所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層包括p型半導(dǎo)體層。
15.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光器件，其中，所述絕緣層對應(yīng)于所述電極的圖案。
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