[發(fā)明專利]一種半導體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410166713.5
• 申請日: 2014-04-24
• 公開（公告）號: CN105097014B
• 公開（公告）日: 2018-11-16
• 發(fā)明（設計）人: 陳金明
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G11C11/413
• 分類號: G11C11/413
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;趙禮杰

1.一種半導體器件，其特征在于，包括SRAM單元，其中所述SRAM單元包括由第一上拉晶體管與第一下拉晶體管構成的第一反相器以及由第二上拉晶體管與第二下拉晶體管構成的第二反相器，所述第一反相器與所述第二反相器交叉耦合；

其中，所述第一上拉晶體管的用于連接電源電壓的源極與所述第二上拉晶體管的用于連接電源電壓的源極之間不存在電連接，并且所述第一上拉晶體管源極連接的電源電壓和所述第二上拉晶體管源極連接的電源電壓通過兩個獨立的電源電壓分別實現(xiàn)，所述第一上拉晶體管的源極上的電源電壓大于所述第二上拉晶體管源極上的電源電壓，所述第一下拉晶體管的用于連接電源負極的源極與所述第二下拉晶體管的用于連接電源負極的源極形成電連接。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一上拉晶體管的源極上的電源電壓為標準電源電壓，所述第二上拉晶體管源極上的電源電壓的大小為標準電源電壓的70％。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一上拉晶體管的源極上的電源電壓的大小為標準電源電壓的130％，所述第二上拉晶體管源極上的電源電壓的大小為標準電源電壓的70％。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一下拉晶體管的用于連接電源負極的源極與所述第二下拉晶體管的用于連接電源負極的源極連接至共同的電源負極。

5.一種半導體器件，其特征在于，包括SRAM單元，其中所述SRAM單元包括由第一上拉晶體管與第一下拉晶體管構成的第一反相器以及由第二上拉晶體管與第二下拉晶體管構成的第二反相器，所述第一反相器與所述第二反相器交叉耦合；

其中，所述第一上拉晶體管的用于連接電源電壓的源極與所述第二上拉晶體管的用于連接電源電壓的源極形成電連接，所述第一下拉晶體管的用于連接電源負極的源極與所述第二下拉晶體管的用于連接電源負極的源極之間不存在電連接，所述第一下拉晶體管的源極上的電源負極電壓大于所述第二下拉晶體管的源極上的電源負極電壓，并且所述第一下拉晶體管源極連接的電源負極和所述第二下拉晶體管源極連接的電源負極通過兩個獨立的電源負極分別實現(xiàn)。

6.如權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，所述第一下拉晶體管的源極上的電源負極電壓的大小為標準電源負極電壓與25％的標準電源電壓之和，所述第二下拉晶體管的源極上的電源負極電壓為標準電源負極電壓。

7.如權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，所述第一下拉晶體管的源極上的電源負極電壓的大小為標準電源負極電壓與25％的標準電源電壓之和，所述第二下拉晶體管的源極上的電源負極電壓為標準電源負極電壓與25％的標準電源電壓之差。

8.如權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，所述第一上拉晶體管的用于連接電源電壓的源極與所述第二上拉晶體管的用于連接電源電壓的源極連接至共同的電源電壓。