[發(fā)明專利]掩膜板和彩膜基板的制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410165739.8 | 申請日: | 2014-04-23 |
| 公開(公告)號: | CN103984202A | 公開(公告)日: | 2014-08-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 查長軍;方群;郭楊辰;汪棟 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/54 | 分類號: | G03F1/54;G03F1/00 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 掩膜板 彩膜基板 制作方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于顯示裝置制造技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種掩膜板和彩膜基板的制作方法。
背景技術(shù)
薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display,簡稱TFT-LCD)以體積小、功耗低、無輻射、分辨率高等優(yōu)點(diǎn)而獲廣泛應(yīng)用。
薄膜晶體管液晶顯示器一般包括液晶面板和背光模組兩大部分。液晶面板包括陣列基板和彩膜基板以及設(shè)置于陣列基板和彩膜基板之間的液晶層。
彩膜基板包括多個像素,每個像素包括紅色子像素、綠色子像素和藍(lán)色子像素。各子像素之間設(shè)有黑矩陣,用于防止混光。彩膜基板一般以玻璃基板為襯底,制作彩膜基板時,可以先制作黑矩陣,即通過成膜、曝光、顯影以及刻蝕等工藝在玻璃基板上形成黑矩陣;然后制作彩膜,即在每個子像素區(qū)域制作對應(yīng)顏色的濾光片從而形成相應(yīng)顏色的子像素,具體地,在需要形成紅色子像素的區(qū)域制作紅色濾光片,在需要形成綠色子像素的區(qū)域制作綠色濾光片,在需要形成藍(lán)色子像素的區(qū)域制作藍(lán)色濾光片。制作每一顏色的子像素時均需要通過成膜、曝光、顯影和刻蝕等工藝,從而在玻璃基板上形成該顏色的濾光片的圖案。
其中,曝光工藝是指通過掩膜板(掩膜板上包括透光區(qū)和透光區(qū)周圍的遮光區(qū))的遮光作用,選擇性地將光照射在沉積在襯底上的光刻膠上,從而將掩膜板上的圖案(如黑矩陣或?yàn)V光片的圖案)轉(zhuǎn)移到襯底上。
發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問題:當(dāng)設(shè)計(jì)相同尺寸、相同分辨率的系列顯示面板時,只要彩膜基板上的與陣列基板的數(shù)據(jù)線相對應(yīng)的方向或柵極線相對應(yīng)的方向的線寬發(fā)生變更,子像素的開口大小發(fā)生變更,就需制作新的掩膜板,從而導(dǎo)致產(chǎn)品的生產(chǎn)成本升高,生產(chǎn)效率下降。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題包括,針對現(xiàn)有的相同尺寸、相同分辨率的一系列顯示面板的彩膜基板制作過程中,只要彩膜基板上的與陣列基板的數(shù)據(jù)線相對應(yīng)的方向或柵極線相對應(yīng)的方向的線寬發(fā)生變更,就需要對應(yīng)制作新的掩膜板從而導(dǎo)致生產(chǎn)成本升高和生產(chǎn)效率下降的問題,提供一種的掩膜板和彩膜基板的制作方法,其能夠在制作相同尺寸、相同分辨率的系列顯示面板的彩膜基板時,不需對應(yīng)制作新的掩膜板,從而提高了生成效率和降低了生產(chǎn)成本。
解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種掩膜板,其包括第一子掩膜板和第二子掩膜板,第一子掩膜板包括第一透光區(qū)和第一透光區(qū)周圍的遮光區(qū),第二子掩膜板包括第二透光區(qū)和第二透光區(qū)周圍的遮光區(qū),其中,
所述第二子掩膜板與第一子掩膜板相互重疊并錯開設(shè)置,用于調(diào)整第一透光區(qū)和第二透光區(qū)的透光面積以形成第三透光區(qū)。
本發(fā)明掩膜板的第一子掩膜板和第二子掩膜板均包括透光區(qū)和遮光區(qū),將第一子掩膜板和第二子掩膜板錯開重疊設(shè)置,也即把第一子掩膜板和第二子掩膜板在曝光機(jī)光線照射方向上進(jìn)行錯開,使第一子掩膜板上的透光區(qū)和第二子掩膜板上的透光區(qū)錯開,第一子掩膜板上的透光區(qū)的部分區(qū)域?qū)⒈坏诙友谀ぐ迳系恼诠鈪^(qū)遮住,第二子掩膜板上的透光區(qū)的部分區(qū)域?qū)⒈坏谝蛔友谀ぐ宓恼诠鈪^(qū)遮住,從而使得掩膜板的透光區(qū)相對于第一透光區(qū)或第二透光區(qū)變小,并且上述第一子掩膜板和第二子掩膜板錯開的程度不同,上述掩膜板的透光區(qū)的大小也將不同。因此本發(fā)明的掩膜板上的透光區(qū)可通過設(shè)置第一子掩膜板和第二子掩膜板的錯開程度進(jìn)行改變,從而改變掩膜板上的相鄰?fù)腹鈪^(qū)的間距。比如利用本發(fā)明的掩膜板制作相同尺寸、相同分辨率的一系列彩膜基板,當(dāng)彩膜基板上的與陣列基板的數(shù)據(jù)線相對應(yīng)的方向或柵極線相對應(yīng)的方向的線寬的變化,且子像素的開口大小發(fā)生變更時,不再需要制作新的掩膜板,進(jìn)而提高了生產(chǎn)效率,降低了生產(chǎn)成本。
進(jìn)一步優(yōu)選的是,所述第一子掩膜板和第二子掩膜板相互吸附在一起。
更進(jìn)一步優(yōu)選的是,所述吸附為真空吸附或磁鐵吸附。
優(yōu)選的是,所述第一子掩膜板上的第一透光區(qū)和第二子掩膜板上的第二透光區(qū)均為多個,且第一、第二透光區(qū)的數(shù)量相同,第一、第二透光區(qū)的形狀相同,每個子掩膜板上的多個透光區(qū)為陣列排列,且第一子掩膜板上的第一透光區(qū)和第二子掩膜板上的第二透光區(qū)的長度和/或?qū)挾认嗤?/p>
優(yōu)選的是,所述第一子掩膜板的第一透光區(qū)和第二子掩膜板的上的第二透光區(qū)均為多個,所述第一子掩膜板和第二子掩膜板的邊緣均設(shè)有對位標(biāo)記,所述對位標(biāo)記用于顯示相鄰的所述第三透光區(qū)之間的距離。
進(jìn)一步優(yōu)選的是,所述第一子掩膜板和第二子掩膜板均包括襯底,以及設(shè)于襯底上方的鉻金屬層。
更進(jìn)一步優(yōu)選的是,所述第一子掩膜板和第二子掩膜板均還包括由鉻的氮化物或氧化物形成的膜層,其位于所述鉻金屬層下方。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





