[發(fā)明專利]掩膜板和彩膜基板的制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410165739.8 | 申請(qǐng)日: | 2014-04-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103984202A | 公開(公告)日: | 2014-08-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 查長(zhǎng)軍;方群;郭楊辰;汪棟 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G03F1/54 | 分類號(hào): | G03F1/54;G03F1/00 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 掩膜板 彩膜基板 制作方法 | ||
1.一種掩膜板,其特征在于,包括第一子掩膜板和第二子掩膜板,第一子掩膜板包括第一透光區(qū)和第一透光區(qū)周圍的遮光區(qū),第二子掩膜板包括第二透光區(qū)和第二透光區(qū)周圍的遮光區(qū),其中,
所述第二子掩膜板與第一子掩膜板相互重疊并錯(cuò)開設(shè)置,用于調(diào)整第一透光區(qū)和第二透光區(qū)的透光面積以形成第三透光區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜板還包括透明的基底掩膜板,所述第一子掩膜板或第二子掩膜板吸附在所述基底掩膜板上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的掩膜板,其特征在于,所述第一子掩膜板和第二子掩膜板相互吸附在一起。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的掩膜板,其特征在于,所述吸附為真空吸附或磁鐵吸附。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述第一子掩膜板上的第一透光區(qū)和第二子掩膜板上的第二透光區(qū)均為多個(gè),且所述第一、第二透光區(qū)的數(shù)量相同,所述第一、第二透光區(qū)的形狀相同,每個(gè)子掩膜板上的多個(gè)透光區(qū)為陣列排列,且第一子掩膜板上的第一透光區(qū)和第二子掩膜板上的第二透光區(qū)的長(zhǎng)度和/或?qū)挾认嗤?/p>
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述第一子掩膜板上的第一透光區(qū)和第二子掩膜板的上的第二透光區(qū)均為多個(gè),所述第一子掩膜板和第二子掩膜板的邊緣均設(shè)有對(duì)位標(biāo)記,所述對(duì)位標(biāo)記用于顯示相鄰的所述第三透光區(qū)之間的距離。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的掩膜板,其特征在于,所述第一子掩膜板和第二子掩膜板均包括襯底,以及設(shè)于襯底上方的鉻金屬層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的掩膜板,其特征在于,所述第一子掩膜板和第二子掩膜板均還包括由鉻的氮化物或氧化物形成的膜層,其位于所述鉻金屬層下方。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的掩膜板,其特征在于,所述基底掩膜板的材料為石英玻璃。
10.一種彩膜基板的制作方法,包括在襯底上通過(guò)構(gòu)圖工藝分別形成黑矩陣和子像素的圖形,其特征在于,所述構(gòu)圖工藝中使用的掩膜板為權(quán)利要求1至9任意一項(xiàng)所述的掩膜板。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過(guò)帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過(guò)電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過(guò)100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





