[發(fā)明專利]晶圓回收方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410164593.5
• 申請日: 2014-04-22
• 公開（公告）號: CN103972049A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發(fā)明（設計）人: 丁弋;朱也方
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 王宏婧

技術領域

本發(fā)明涉及集成電路制造技術領域，特別涉及一種晶圓回收方法。

背景技術

在集成電路制造過程中，通常會選取光片晶圓用于生產(chǎn)調(diào)試，所述光片晶圓是只有硅襯底，表面無其他膜層的晶圓。所述光片晶圓在使用之后由于存在大量缺陷一般直接報廢。

例如，離子注入工藝過程中為監(jiān)控離子注入程序的效果會選取光片晶圓進行離子注入，并測量所述光片晶圓在離子注入前后的電阻變化。測量電阻時，電阻量測儀通過探針扎入所述光片晶圓中，探針會造成深度大于4微米、直徑為幾十微米的空洞。電阻測量之后，所述光片晶圓上通常會有超過50000個以上的空洞，缺陷數(shù)量遠遠超過合格的范圍。而且，探針采用的材料一般為金屬，例如鎢、銀、鉑或其他合金材料等，探針與所述光片晶圓接觸會使得金屬殘留于所述光片晶圓上。電阻測量之后，所述光片晶圓的表面污染嚴重。因此，所述光片晶圓在使用之后一般直接報廢處理。

由于集成電路制造工藝復雜而且苛刻，選取光片晶圓進行生產(chǎn)調(diào)試是必不可少的步驟，光片晶圓在使用之后報廢的數(shù)量非常多，這大大地增加了制造成本。

因此，如何解決現(xiàn)有的集成電路制造過程中因生產(chǎn)調(diào)試造成光片晶圓在使用之后報廢使得制造成本增加的問題成為當前亟需解決的技術問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種晶圓回收方法，以解決現(xiàn)有技術中因生產(chǎn)調(diào)試造成光片晶圓在使用之后報廢使得制造成本增加的問題。

為解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種晶圓回收方法，所述晶圓回收方法包括：

提供一待回收晶圓；

對所述待回收晶圓執(zhí)行第一次濕法清洗；

對所述待回收晶圓執(zhí)行第二次濕法清洗；

在所述待回收晶圓的表面上沉積氧化硅薄膜；

對所述氧化硅薄膜進行化學機械研磨。

優(yōu)選的，在所述的晶圓回收方法中，所述待回收晶圓的表面上具有探針造成的缺陷。

優(yōu)選的，在所述的晶圓回收方法中所述探針采用的材料為鎢。

優(yōu)選的，在所述的晶圓回收方法中，所述第一次濕法清洗的藥液采用雙氧水和氨水的混合劑，所述雙氧水和氨水的摩爾比在1：2到2：1之間。

優(yōu)選的，在所述的晶圓回收方法中，所述第一次濕法清洗的溫度范圍在50℃到80℃之間。

優(yōu)選的，在所述的晶圓回收方法中，所述第二次濕法清洗的藥液采用氫氟酸。

優(yōu)選的，在所述的晶圓回收方法中，其特征在于，所述第二次濕法清洗的溫度在20℃到30℃之間。

優(yōu)選的，在所述的晶圓回收方法中，其特征在于，所述氧化硅薄膜的沉積厚度在10微米到20微米之間。

優(yōu)選的，在所述的晶圓回收方法中，所述化學機械研磨的研磨量在3微米到6微米之間。

在本發(fā)明提供的晶圓回收方法中，通過濕法清洗和氧化硅薄膜沉積能夠有效地降低待回收晶圓上的缺陷數(shù)量，使得所述待回收晶圓重新達到使用要求，再次被利用，由此降低了制造成本。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實施例的晶圓回收方法的工藝流程圖；

圖2是本發(fā)明實施例的待回收晶圓在回收前后的表面缺陷的對照示意圖。

具體實施方式

以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明提出的晶圓回收方法作進一步詳細說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。

請參考圖1，其為本發(fā)明實施例的晶圓回收方法的工藝流程圖。如圖1所示，所述晶圓回收方法包括：

步驟S10：提供一待回收晶圓；

步驟S11：對所述待回收晶圓執(zhí)行第一次濕法清洗；

步驟S12：對所述待回收晶圓執(zhí)行第二次濕法清洗；

步驟S13：在所述待回收晶圓的表面上沉積氧化硅薄膜；

步驟S14：對所述有氧化硅薄膜進行化學機械研磨。

具體的，首先，提供一待回收晶圓。所述待回收晶圓只有硅襯底，表面沒有其他膜層，同時所述待回收晶圓表面上具有在電性測試過程中因探針而造成的缺陷，所述待回收晶圓上的缺陷數(shù)量一般在50000個以上。所述探針為金屬探針，所述金屬探針在所述待回收晶圓表面上造成多個空洞和金屬殘留。所述空洞的深度一般超過4微米，所述空洞的直徑范圍一般在10微米到100微米之間。