[發明專利]晶圓回收方法有效
| 申請號： | 201410164593.5 | 申請日： | 2014-04-22 |
| 公開（公告）號： | CN103972049A | 公開（公告）日： | 2014-08-06 |
| 發明（設計）人： | 丁弋;朱也方 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 回收 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶圓回收方法，其特征在于，包括：
提供一待回收晶圓；
對所述待回收晶圓執行第一次濕法清洗；
對所述待回收晶圓執行第二次濕法清洗；
在所述待回收晶圓的表面上沉積氧化硅薄膜；
對所述氧化硅薄膜進行化學機械研磨。
2.如權利要求1所述的晶圓回收方法，其特征在于，所述待回收晶圓的表面上具有探針造成的缺陷。
3.如權利要求2所述的晶圓回收方法，其特征在于，所述探針采用的材料為鎢。
4.如權利要求1所述的晶圓回收方法，其特征在于，所述第一次濕法清洗的藥液采用雙氧水和氨水的混合劑，所述雙氧水和氨水的摩爾比在1：2到2：1之間。
5.如權利要求4所述的晶圓回收方法，其特征在于，所述第一次濕法清洗的溫度范圍在50℃到80℃之間。
6.如權利要求1所述的晶圓回收方法，其特征在于，所述第二次濕法清洗的藥液采用氫氟酸。
7.如權利要求6所述的晶圓回收方法，其特征在于，所述第二次濕法清洗的溫度在20℃到30℃之間。
8.如權利要求1所述的晶圓回收方法，其特征在于，所述氧化硅薄膜的沉積厚度在10微米到20微米之間。
9.如權利要求1所述的晶圓回收方法，其特征在于，所述化學機械研磨的研磨量在3微米到6微米之間。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
