[發明專利]一種陣列斷裂電極的免疫檢測方法

有效

• 申請號: 201410164371.3
• 申請日: 2014-04-22
• 公開（公告）號: CN103913571A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 潘建斌;徐靜娟;周明;陳洪淵
• 申請（專利權）人: 南京大學;南通明芯微電子有限公司
• 主分類號: G01N33/574
• 分類號: G01N33/574;G01N33/531;G01N27/26
• 代理公司: 南京知識律師事務所 32207
• 代理人: 黃嘉棟

技術領域

本發明涉及光電免疫檢測技術，是一種利用光電技術和銀增強效應的免疫檢測方法。

背景技術

高通量、微型化、便攜化一直是免疫分析的研究熱點之一。光致電化學過程是指光電活性材料因吸收光子而使電荷產生轉移,從而形成光電流。

迄今為止用于光致電化學分析的裝置均為自行搭建，存在體積龐大、結構復雜等缺點。難以實現高通量、微型化、便攜化。

芯片裝置具有試劑消耗少，方便快捷等優點，另外，多種功能可以實現集成在一塊芯片上。目前，未見有將芯片技術應用于光致電化學檢測的報道。

利用光電技術進行免疫檢測都是將抗原抗體直接固定在在光電極上，激發光直接照射在被分析物上。這種做法一方面會導致免疫分析被光照照射后產生變性，而致其實光電信號不能真實地反應出分析物的量；另一方面，免疫分析直接固定在電極表面上的光電材料時容易影響其表面形貌，而致光電信號前后的可比性降低。

發明內容

本發明的目的是公開一種陣列斷裂電極的免疫檢測方法，通過克服現有技術信號不穩定、操作煩瑣、不能高通量及體系復雜的問題。建立一種可以實現高靈敏度檢測的新型光致電化學免疫檢測方法，該方法背景信號低，信噪比高，可以滿足痕量物質的檢測要求。

為達到上述目的，本發明的技術解決方案是：

一種陣列斷裂電極的免疫檢測方法，其利用銀離子在不同濃度的貴金屬納米粒子的催化下沉積在斷裂電極(gap?electrode或split?electrode)的間隙處，形成具有不同阻抗的電極，表達為不相同的光電流；包括以下步驟：

步驟1.準備一臺光致電化學分析儀；

步驟2.以覆蓋有導電材料玻璃為芯片基材制作出所需的光電極和陣列斷裂電極圖形，其圖形為光電極和陣列斷裂電極的一端相連，所述的光電極為直徑為5±1mm的圓形，所述的陣列斷裂電極寬度為8±2mm，所述的斷裂電極為具有小于1mm寬形成電斷路間隙的斷裂電極；(見圖1)

步驟3.將帶有光致電化學池圓孔和陣列檢測池小孔的聚二甲基硅氧烷(PDMS)薄片與芯片鍵合并使光致電化學池圓孔與光電極對齊形成光致電化學池，檢測池小孔與芯片的檢測位置對齊形成檢測池，所述的檢測位置是在每條陳列斷裂電極相對于光致電化學池的斷裂間隙另一端的斷裂電極上；

步驟4.制備貴金屬納米粒子并將該粒子標記在針對待測物的一種抗體上；

步驟5.在檢測池的底部固定上針對待測物的另一抗體分子或直接固定待測物分子；

步驟6.在檢測池中加入待測物分子和步驟4中制備的標記有貴金屬的抗體分子形成：標記有貴金屬的抗體分子-待測分子-步驟5的另一抗體分子組成的三元夾心免疫復合物或只加入步驟4中制備的標記有貴金屬的抗體分子以形成標記有貴金屬的抗體分子和待測物分子組成的二元免疫復合物；

步驟7.在檢測池中加入銀增強溶液，15-20分鐘后去除檢測池中的液體并用氮氣吹干檢測池；

步驟8.在光電化學池底部的電極上修飾光電活性物質；

步驟9.將芯片與光電流測量儀連接好并將芯片置于光致電化學平臺上，啟動光源即可以測量信號。

上述的陣列斷裂電極的免疫檢測方法，所述的斷裂電極的間隙為納米至微米級。

上述的陣列斷裂電極的免疫檢測方法，所述的貴金屬納米粒子的直徑為納米級。

上述的陣列斷裂電極的免疫檢測方法，所述的貴金屬納米粒子為金納米粒子或銀納米粒子。

上述的陣列斷裂電極的免疫檢測方法，所述的電極上修飾的光電活性物質是CdS量子點。

上述的陣列斷裂電極的免疫檢測方法，所述的待測物是有機化合物、核苷酸、核糖核酸、脫氧核糖核酸、單糖、多糖、氨基酸、多肽、或蛋白質。