[發明專利]一種陣列斷裂電極的免疫檢測方法

有效

• 申請號: 201410164371.3
• 申請日: 2014-04-22
• 公開（公告）號: CN103913571A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 潘建斌;徐靜娟;周明;陳洪淵
• 申請（專利權）人: 南京大學;南通明芯微電子有限公司
• 主分類號: G01N33/574
• 分類號: G01N33/574;G01N33/531;G01N27/26
• 代理公司: 南京知識律師事務所 32207
• 代理人: 黃嘉棟

1.一種陣列斷裂電極的免疫檢測方法，其特征是利用銀離子在不同濃度的貴金屬納米粒子的催化下沉積在斷裂電極(gap?electrode或split?electrode)的間隙處，形成具有不同阻抗的電極，表達為不相同的光電流；它具體包括以下步驟：

步驟1.準備一臺光致電化學分析儀；

步驟2.以覆蓋有導電材料玻璃為芯片基材制作出所需的光電極和陣列斷裂電極圖形，其圖形為光電極和陣列斷裂電極的一端相連，所述的光電極為直徑為5±1mm的圓形，所述的陣列斷裂電極寬度為8±2mm，所述的斷裂電極為具有小于1mm寬形成電斷路間隙的斷裂電極；(見圖1)

步驟3.將帶有光致電化學池圓孔和陣列檢測池小孔的聚二甲基硅氧烷(PDMS)薄片與芯片鍵合并使光致電化學池圓孔與光電極對齊形成光致電化學池，檢測池小孔與芯片的檢測位置對齊形成檢測池，所述的檢測位置是在每條陳列斷裂電極相對于光致電化學池的斷裂間隙另一端的斷裂電極上；

步驟4.制備貴金屬納米粒子并將該粒子標記在針對待測物的一種抗體上；

步驟5.在檢測池的底部固定上針對待測物的另一抗體分子或直接固定待測物分子；

步驟6.在檢測池中加入待測物分子和步驟4中制備的標記有貴金屬的抗體分子形成：標記有貴金屬的抗體分子-待測分子-步驟5的另一抗體分子組成的三元夾心免疫復合物或只加入步驟4中制備的標記有貴金屬的抗體分子以形成標記有貴金屬的抗體分子和待測物分子組成的二元免疫復合物；

步驟7.在檢測池中加入銀增強溶液，15-20分鐘后去除檢測池中的液體并用氮氣吹干檢測池；

步驟8.在光電化學池底部的電極上修飾光電活性物質；

步驟9.將芯片與光電流測量儀連接好并將芯片置于光致電化學平臺上，啟動光源即可以測量信號。

2.根據權利要求1所述的陣列斷裂電極的免疫檢測方法，其特征是：所述的斷裂電極的間隙為納米至微米級。

3.根據權利要求1所述的陣列斷裂電極的免疫檢測方法，其特征是：所述的貴金屬納米粒子的直徑為納米級。

4.根據權利要求1所述的陣列斷裂電極的免疫檢測方法，其特征是：所述的貴金屬納米粒子為金納米粒子或銀納米粒子。

5.根據權利要求1所述的陣列斷裂電極的免疫檢測方法，其特征是：所述的電極上修飾的光電活性物質是CdS量子點。

6.根據權利要求1所述的陣列斷裂電極的免疫檢測方法，其特征是：所述的待測物是有機化合物、核苷酸、核糖核酸、脫氧核糖核酸、單糖、多糖、氨基酸、多肽或蛋白質。