[發(fā)明專利]失配差分電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410163658.4
• 申請(qǐng)日: 2014-04-22
• 公開（公告）號(hào): CN104113310B
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: M.赫克馬特;A.阿米爾卡尼
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號(hào): H03K5/22
• 分類號(hào): H03K5/22
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 金玉潔

1.一種差分放大器，包括：

包括第一晶體管的第一放大器腿；以及

包括第二晶體管的第二放大器腿，

其中，所述第一晶體管被配置為具有與所述第二晶體管的基體電勢(shì)不同的基體電勢(shì)，

其中，所述差分放大器被配置為處于比較器的輸入級(jí)，

其中，所述第一放大器腿和所述第二放大器腿一起被配置為差分地放大接收到的差分輸入信號(hào)，

其中，所述差分放大器被配置為具有輸入偏移電壓，并且

其中，所述輸入偏移電壓對(duì)應(yīng)于所述第一晶體管的基體電勢(shì)與所述第二晶體管的基體電勢(shì)之間的差異，

其中，所述差分放大器還包括：

第一電流宿，被配置為吸收第一電流；

第二電流宿，被配置為吸收第二電流；

第三晶體管；以及

第四晶體管，

其中，所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管和所述第四晶體管中的每一個(gè)包括第一端子、第二端子和柵極，

其中，所述第一晶體管的第一端子耦合到所述第四晶體管的第一端子，

其中，所述第二晶體管的第一端子耦合到所述第三晶體管的第一端子，

其中，所述第一晶體管的柵極耦合到所述第四晶體管的柵極，

其中，所述第二晶體管的柵極耦合到所述第三晶體管的柵極，

其中，所述第一晶體管的第二端子和所述第二晶體管的第二端子耦合在一起并耦合到所述第一電流宿，

其中，所述第三晶體管的第二端子和所述第四晶體管的第二端子耦合在一起并耦合到所述第二電流宿，并且

其中，所述輸入偏移電壓還對(duì)應(yīng)于所述第一電流與所述第二電流之間的差異。

2.如權(quán)利要求1所述的差分放大器，

其中，所述第一晶體管具有第一器件尺寸并且所述第二晶體管具有與所述第一器件尺寸不同的第二器件尺寸，并且

其中，所述輸入偏移電壓還對(duì)應(yīng)于所述第一器件尺寸與所述第二器件尺寸之間的差異。

3.如權(quán)利要求2所述的差分放大器，其中，所述第一器件尺寸對(duì)應(yīng)于所述第一晶體管的溝道寬度或長(zhǎng)度，并且所述第二器件尺寸對(duì)應(yīng)于所述第二晶體管的溝道寬度或長(zhǎng)度。

4.如權(quán)利要求1所述的差分放大器，其中，偏移電壓能夠通過調(diào)整以下各項(xiàng)中的至少一個(gè)來動(dòng)態(tài)地配置：所述第一電流、所述第二電流、所述第一晶體管的基體電勢(shì)、所述第二晶體管的基體電勢(shì)、所述第一晶體管的有效寬度或長(zhǎng)度、或者所述第二晶體管的有效寬度或長(zhǎng)度。

5.如權(quán)利要求1所述的差分放大器，

其中，所述第一晶體管和所述第三晶體管具有第一器件尺寸，

其中，所述第二晶體管和所述第四晶體管中的每一個(gè)具有與所述第一器件尺寸不同的第二器件尺寸，并且

其中，所述輸入偏移電壓還對(duì)應(yīng)于所述第一器件尺寸與所述第二器件尺寸之間的差異。

6.如權(quán)利要求1所述的差分放大器，

其中，所述第一晶體管和所述第二晶體管中的每一個(gè)是場(chǎng)效應(yīng)晶體管并且包括基體、柵極、漏極和源極，

其中，所述第一晶體管的基體耦合到所述第一晶體管的源極、地或者偏置電壓源之一，

其中，所述第二晶體管的基體耦合到所述第二晶體管的源極、地或者所述偏置電壓源之一，并且

其中，所述第一晶體管的基體的耦合方式不同于所述第二晶體管的基體以使得所述第一晶體管的基體電勢(shì)不同于所述第二晶體管的基體電勢(shì)。

7.如權(quán)利要求6所述的差分放大器，

其中，所述第一晶體管和所述第二晶體管中的每一個(gè)是P-MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，

其中，所述第一晶體管的基體耦合到所述第一晶體管的源極，并且

其中，所述第二晶體管的基體耦合到所述偏置電壓源。

8.如權(quán)利要求6所述的差分放大器，

其中，所述第一晶體管和所述第二晶體管中的每一個(gè)是N-MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，

其中，所述第一晶體管的基體耦合到所述第一晶體管的源極，并且

其中，所述第二晶體管的基體耦合到地。