[發明專利]改善層間介質層研磨返工工藝的方法無效
| 申請號： | 201410163486.0 | 申請日： | 2014-04-22 |
| 公開（公告）號： | CN103972048A | 公開（公告）日： | 2014-08-06 |
| 發明（設計）人： | 徐瑩;羅飛;周維 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 改善 介質 研磨 返工 工藝 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種改善層間介質層研磨后返工工藝的方法，用于對層間介質層研磨后的半導體襯底進行返工，所述層間介質層被過量研磨，所述層間介質層具有目標厚度，其特征在于，所述方法包括：
測量所述層間介質層的實際厚度；
根據所述層間介質層的實際厚度與所述層間介質層的目標厚度的差異，獲得補償膜層的厚度，所述補償膜層用于覆蓋所述層間介質層的表面；
獲得覆蓋膜層的目標厚度，所述覆蓋膜用于覆蓋所述補償膜層的表面；
根據所述補償膜層與所述覆蓋膜層的厚度之和，進行一次沉積工藝，形成所述補償膜層和覆蓋膜層。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述一次沉積工藝為等離子增強化學氣相沉積工藝。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
