[發明專利]高壓場效應晶體管器件

有效

• 申請號: 201410163397.6
• 申請日: 2014-04-22
• 公開（公告）號: CN104299993B
• 公開（公告）日: 2017-07-18
• 發明（設計）人: 約瑟夫俄依恩扎
• 申請（專利權）人: 成都芯源系統有限公司
• 主分類號: H01L29/772
• 分類號: H01L29/772;H01L29/78
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種電子電路，更具體地說，本發明涉及一種高壓場效應晶體管器件。

背景技術

通常情況下，包含高壓電路的電路需要檢測高壓節點的電壓，并將該電壓進行分壓，以傳遞給電路的低壓控制電路執行相關操作。但上述高壓節點的電壓往往具有幾百甚至上千伏特的電壓峰值，而電路的低壓控制電路所能處理的電壓水平通常為幾伏特或幾十伏特。通過分壓單元可以將高壓轉化為低壓，但由于電阻段間的電壓系數效應，分壓單元轉化的低壓相對于原始電壓信息可能存在電壓畸變。

一種現有技術采用外部分立電阻對高壓進行分壓。這種方法需要額外的引腳和獨立的防靜電結構，使得芯片面積增大。而在低引腳數的封裝中，芯片面積尤為重要。另一種現有技術通過集成電路的擴散電阻或多晶硅電阻形成分壓單元，對高壓進行分壓。但是這些電阻必須分段，且每段電阻必須在其自身的井里以減小電壓系數效應。

發明內容

因此本發明的目的在于解決現有技術的上述技術問題，提出一種改進的高壓場效應晶體管器件。

根據上述目的，本發明提出了一種高壓場效應晶體管器件，包括：襯底，具有第一摻雜類型；外延層，形成在襯底之上；源極區，形成在外延層內，具有第二摻雜類型；漏極區，形成在外延層內，具有第二摻雜類型；漂移區，形成在源極區和漏極區之間，具有第二摻雜類型；連接區，形成在外延層內，具有第一摻雜類型；連接接觸區，形成在連接區內，具有第一摻雜類型；連接電極，與連接區接觸；源極接觸區，形成在源極區內，具有第二摻雜類型；漏極接觸區，形成在漏極區內，具有第二摻雜類型；源極電極，與源極接觸區接觸；漏極電極，與漏極接觸區接觸；螺旋多晶硅結構，形成在漂移區之上，所述螺旋多晶硅結構具有最里端和最外端，其最里端耦接至漏極電極，其最外端耦接至參考地。

根據上述目的，本發明還提出了一種高壓場效應晶體管器件，包括：襯底，具有第一摻雜類型；外延層，形成在襯底之上；體區，形成在外延層內，具有第一摻雜類型；漏極區，形成在外延層內，具有第二摻雜類型；漂移區，形成在體區和漏極區之間，具有第二摻雜類型；源極接觸區，形成在體區內，具有第二摻雜類型；體接觸區，形成在體區內，具有第一摻雜類型；漏極接觸區，形成在漏極區內，具有第二摻雜類型；源極電極，與源極接觸區和體接觸區接觸；漏極電極，與漏極接觸區接觸；多晶硅柵，形成在漂移區的部分區域和體區的部分區域之上；螺旋多晶硅結構，形成在漂移區之上，所述螺旋多晶硅結構具有最里端和最外端，其最里端耦接至漏極電極，其最外端耦接至參考地。

根據上述目的，本發明還提出了一種高壓場效應晶體管器件，包括：襯底，具有第一摻雜類型；外延層，形成在襯底之上；漏漂區，形成在外延層內，具有第二摻雜類型；漏極區，形成在外延層內，具有第二摻雜類型；漂移區，形成在漏漂區和漏極區之間，具有第二摻雜類型；體區，形成在漏漂區內，具有第一摻雜類型；源極接觸區，形成在體區內，具有第二摻雜類型；體接觸區，形成在體區內，具有第一摻雜類型；漏極接觸區，形成在漏極區內，具有第二摻雜類型；源極電極，與源極接觸區和體接觸區接觸；漏極電極，與漏極接觸區接觸；多晶硅柵，形成在體區的部分區域和漏漂區之上；螺旋多晶硅結構，形成在漂移區之上，所述螺旋多晶硅結構具有最里端和最外端，其最里端耦接至漏極電極，其最外端耦接至參考地。

根據本發明各方面的上述高壓場效應晶體管器件，通過更小的整體芯片面積提供準確的漏極電壓信息。

附圖說明

圖1示意性地示出了根據本發明一實施例的高壓場效應晶體管器件100的剖面圖；

圖2示意性地示出了根據本發明一實施例的圖1所示高壓場效應晶體管器件100的俯視圖；

圖3為根據本發明一個實施例的高壓場效應晶體管器件漏極電壓檢測的等效電路結構示意圖；

圖4示意性地示出了根據本發明另一實施例的高壓場效應晶體管器件200的剖面圖；

圖5示意性地示出了根據本發明又一實施例的高壓場效應晶體管器件300的剖面圖；

圖6示意性地示出了根據本發明又一實施例的高壓場效應晶體管器件400的剖面圖；

圖7示意性地示出了根據本發明又一實施例的高壓場效應晶體管器件500的剖面圖；

圖8示意性地示出了根據本發明又一實施例的高壓場效應晶體管器件600的剖面圖；

圖9示意性地示出了根據本發明又一實施例的高壓場效應晶體管器件700的剖面圖；

圖10示意性地示出了根據本發明又一實施例的高壓場效應晶體管器件800的剖面圖；