[發(fā)明專利]高壓場效應(yīng)晶體管器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410163397.6
• 申請日: 2014-04-22
• 公開（公告）號: CN104299993B
• 公開（公告）日: 2017-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 約瑟夫俄依恩扎
• 申請（專利權(quán)）人: 成都芯源系統(tǒng)有限公司
• 主分類號: H01L29/772
• 分類號: H01L29/772;H01L29/78
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種高壓場效應(yīng)晶體管器件，包括：

襯底，具有第一摻雜類型；

外延層，形成在襯底之上；

源極區(qū)，形成在外延層內(nèi)，具有第二摻雜類型；

漏極區(qū)，形成在外延層內(nèi)，具有第二摻雜類型；

漂移區(qū)，形成在源極區(qū)和漏極區(qū)之間，具有第二摻雜類型；

連接區(qū)，形成在外延層內(nèi)，具有第一摻雜類型；

連接接觸區(qū)，形成在連接區(qū)內(nèi)，具有第一摻雜類型；

連接電極，與連接區(qū)接觸；

源極接觸區(qū)，形成在源極區(qū)內(nèi)，具有第二摻雜類型；

漏極接觸區(qū)，形成在漏極區(qū)內(nèi)，具有第二摻雜類型；

源極電極，與源極接觸區(qū)接觸；

漏極電極，與漏極接觸區(qū)接觸；

螺旋多晶硅結(jié)構(gòu)，形成在漂移區(qū)之上，所述螺旋多晶硅結(jié)構(gòu)具有最里端和最外端，其最里端耦接至漏極電極，其最外端耦接至參考地；以及

多個攻絲，形成在螺旋多晶硅結(jié)構(gòu)最外一圈的邊緣，其中所述多個攻絲中的一個攻絲被引出，以提供表征高壓場效應(yīng)晶體管器件漏極電壓的電壓檢測信號給低壓電路。

2.如權(quán)利要求1所述的高壓場效應(yīng)晶體管器件，其中所述源極區(qū)的摻雜濃度低于漏極區(qū)。

3.如權(quán)利要求1所述的高壓場效應(yīng)晶體管器件，進一步包括：

具有第二摻雜類型多個的低摻雜區(qū)；

具有第二摻雜類型的多個正常摻雜區(qū)；其中

所述多個低摻雜區(qū)和多個正常摻雜區(qū)被依次輪放在漂移區(qū)內(nèi)；

所述低摻雜區(qū)的摻雜濃度與源極區(qū)相近，所述正常摻雜區(qū)的摻雜濃度與漏極區(qū)相近。

4.一種高壓場效應(yīng)晶體管器件，包括：

襯底，具有第一摻雜類型；

外延層，形成在襯底之上；

體區(qū)，形成在外延層內(nèi)，具有第一摻雜類型；

漏極區(qū)，形成在外延層內(nèi)，具有第二摻雜類型；

漂移區(qū)，形成在體區(qū)和漏極區(qū)之間，具有第二摻雜類型；

源極接觸區(qū)，形成在體區(qū)內(nèi)，具有第二摻雜類型；

體接觸區(qū)，形成在體區(qū)內(nèi)，具有第一摻雜類型；

漏極接觸區(qū)，形成在漏極區(qū)內(nèi)，具有第二摻雜類型；

源極電極，與源極接觸區(qū)和體接觸區(qū)接觸；

漏極電極，與漏極接觸區(qū)接觸；

多晶硅柵，形成在漂移區(qū)的部分區(qū)域和體區(qū)的部分區(qū)域之上；

螺旋多晶硅結(jié)構(gòu)，形成在漂移區(qū)之上，所述螺旋多晶硅結(jié)構(gòu)具有最里端和最外端，其最里端耦接至漏極電極，其最外端耦接至參考地；以及

多個攻絲，形成在螺旋多晶硅結(jié)構(gòu)最外一圈的邊緣，其中所述多個攻絲中的一個攻絲被引出，以提供表征高壓場效應(yīng)晶體管器件漏極電壓的電壓檢測信號給低壓電路。

5.如權(quán)利要求4所述的高壓場效應(yīng)晶體管器件，還包括：深入?yún)^(qū)，形成在體區(qū)內(nèi)、源極接觸區(qū)之下，具有第一摻雜類型。

6.如權(quán)利要求4所述的高壓場效應(yīng)晶體管器件，還包括：閾值調(diào)節(jié)區(qū)，形成在多晶硅柵之下。

7.一種高壓場效應(yīng)晶體管器件，包括：

襯底，具有第一摻雜類型；外延層，形成在襯底之上；漏漂區(qū)，形成在外延層內(nèi)，具有第二摻雜類型；漏極區(qū)，形成在外延層內(nèi)，具有第二摻雜類型；漂移區(qū)，形成在漏漂區(qū)和漏極區(qū)之間，具有第二摻雜類型；體區(qū)，形成在漏漂區(qū)內(nèi)，具有第一摻雜類型；源極接觸區(qū)，形成在體區(qū)內(nèi)，具有第二摻雜類型；體接觸區(qū)，形成在體區(qū)內(nèi)，具有第一摻雜類型；漏極接觸區(qū)，形成在漏極區(qū)內(nèi)，具有第二摻雜類型；源極電極，與源極接觸區(qū)和體接觸區(qū)接觸；漏極電極，與漏極接觸區(qū)接觸；多晶硅柵，形成在體區(qū)的部分區(qū)域和漏漂區(qū)之上；螺旋多晶硅結(jié)構(gòu)，形成在漂移區(qū)之上，所述螺旋多晶硅結(jié)構(gòu)具有最里端和最外端，其最里端耦接至漏極電極，其最外端耦接至參考地；以及

多個攻絲，形成在螺旋多晶硅結(jié)構(gòu)最外一圈的邊緣，其中所述多個攻絲中的一個攻絲被引出，以提供表征高壓場效應(yīng)晶體管器件漏極電壓的電壓檢測信號給低壓電路。