[發明專利]用于隔離間距倍增材料環的部分的方法及相關結構

有效

• 申請號: 201410162977.3
• 申請日: 2008-12-16
• 公開（公告）號: CN103904085B
• 公開（公告）日: 2017-06-27
• 發明（設計）人: 盧安·C·特蘭
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033;H01L27/11517;H01L27/11519;H01L27/11521;H01L27/11524
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287
• 代理人: 孫寶成

1.一種集成電路，其包含：

由半導體材料形成的多個環，每一所述環由一對狹長部分定義，所述狹長部分在其相對的第一端和第二端處接合，其中所有所述第一端均由導電材料的第一鄰接寬闊區域接合在一起，且其中所有所述第二端均由導電材料的第二鄰接寬闊區域接合在一起；以及

沿每一所述環安置的第一對間隔開的晶體管，其中每一所述環形成所述第一對間隔開的晶體管的有源區，其中所述第一對間隔開的晶體管的每一者均包含晶體管柵極，其中所述環的每一所述第一端與所述晶體管柵極共同分流。

2.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述第一對間隔開的晶體管接近所述第一端安置，其中所述第一對間隔開的晶體管中的一者沿所述狹長部分的每一者安置。

3.根據權利要求2所述的集成電路，其進一步包含第二對晶體管，所述第二對晶體管接近所述第二端安置，其中所述第二對晶體管中的一者沿所述狹長部分的每一者安置。

4.根據權利要求1所述的集成電路，其中每一所述環形成所述第一對間隔開的晶體管的每一者的有源區。

5.根據權利要求1所述的集成電路，其中每一所述環的所述第一端鄰接于半導體材料的狹長寬闊區域。

6.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述第一對間隔開的晶體管兩側上的所述半導體材料由與下伏襯底的摻雜類型相反的摻雜類型摻雜。

7.根據權利要求6所述的集成電路，其中所述第一對間隔開的晶體管兩側上的經摻雜的所述半導體材料構成源極/漏極區域。

8.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述環及所述第一對間隔開的晶體管構成半導體裝置的部分。

9.一種集成電路，其包含：

半導體材料的多對間隔開的條帶，其中所述半導體材料的多對間隔開的條帶構成位線；

由所述半導體材料形成的第一塊，其接觸所述半導體材料的所有對條帶的第一末端；

第一多個晶體管柵極，其沿所述半導體材料的多對間隔開的條帶設置，所述第一多個晶體管柵極電連接至所述第一塊；以及

跨越所述半導體材料的多對間隔開的條帶的多個字線，其中所述第一多個晶體管柵極通過導電材料電連接至所述字線。

10.根據權利要求9所述的集成電路，其進一步包含：

由所述半導體材料形成的第二塊，其接觸所述半導體材料的多對間隔開的條帶的每一者的第二末端；以及

第二多個晶體管柵極，其沿所述半導體材料的多對間隔開的條帶設置，所述第二多個晶體管柵極電連接至所述半導體材料的所述第二塊。

11.根據權利要求9所述的集成電路，其中所述半導體材料的所述第一塊位于與所述半導體材料的多對間隔開的條帶相同的層面上。

12.根據權利要求10所述的集成電路，其中所述半導體材料的所述第二塊位于與所述半導體材料的多對間隔開的條帶相同的層面上。

13.根據權利要求10所述的集成電路，其中所述第一塊形成包含所述第一塊的第一多個晶體管的第一源極/漏極及所述第一多個晶體管柵極，且其中所述第二塊形成包含所述第二塊的第二多個晶體管的第二源極/漏極及所述第二多個晶體管柵極。

14.根據權利要求9所述的集成電路，其中所述字線延伸穿過所述第一多個晶體管柵極。

15.根據權利要求9所述的集成電路，其進一步包含多個浮動柵極晶體管，其中所述多個浮動柵極晶體管中的一者安置于所述位線和所述字線的相交處。

16.根據權利要求9所述的集成電路，其中所述半導體材料的多對間隔開的條帶具有50nm或更小的間距。