[發明專利]用于隔離間距倍增材料環的部分的方法及相關結構

有效

• 申請號: 201410162977.3
• 申請日: 2008-12-16
• 公開（公告）號: CN103904085B
• 公開（公告）日: 2017-06-27
• 發明（設計）人: 盧安·C·特蘭
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033;H01L27/11517;H01L27/11519;H01L27/11521;H01L27/11524
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287
• 代理人: 孫寶成

本申請是申請號為200880121431.6、申請日為2008年12月16日、發明名稱為“用于隔離間距倍增材料環的部分的方法及相關結構”的發明專利申請的分案申請。

對相關申請案的參考

本申請案與下列申請案有關且以引用的方式并入有下列申請案的全部內容：阿巴切夫(Abatchev)等人于2004年9月2日申請的第10/934,778號美國專利申請案(代理人案號MICRON.294A)；特朗(Tran)等人于2004年8月31日申請的第10/931,771號美國專利申請案(代理人案號MICRON.295A)；特朗(Tran)等人于2005年8月31日申請的第11/216,477號美國專利申請案(代理人案號MICRON.314A)；及特朗(Tran)等人于2005年8月29日申請的第11/214,544號美國專利申請案(代理人案號MICRON.316A)。

技術領域

本發明大體上涉及集成電路及電子裝置的制造，且更確切地說涉及制造方法及相關結構。

背景技術

由于許多因素(包括對增強的便攜性、計算能力、存儲器容量及能量效率的需求)，集成電路的大小在不斷地減小。形成集成電路的構成特征(例如，電裝置及互連線)的大小也在不斷地減小以促進此大小減小。

減小特征大小的趨勢(例如)在例如動態隨機存取存儲器(DRAM)、快閃存儲器、靜態隨機存取存儲器(SRAM)、鐵電(FE)存儲器等的存儲器電路或裝置中是明顯的。舉一個實例，DRAM通常包括數百萬或數十億個相同電路元件，稱作存儲器單元。存儲器單元通常由兩個電裝置組成：存儲電容器及存取場效晶體管。每一存儲器單元是可存儲一位(二進制數字)數據的可尋址位置。可經由晶體管將位寫入到單元且可通過感測電容器中的電荷來讀取位。

在另一實例中，快閃存儲器通常包括數十億個含有可保留電荷的浮動柵極場效晶體管的快閃存儲器單元。浮動柵極中的電荷的存在或不存在確定存儲器單元的邏輯狀態。可通過將電荷注入到單元或從單元移除電荷而將位寫入到單元。快閃存儲器單元可以不同架構配置來連接，每一架構配置具有用于讀取位的不同方案。在“NOR”架構配置中，每一存儲器單元耦合到一位線且可被個別地讀取。在“NAND”架構配置中，存儲器單元在單元的“串”中對準，且激活整個位線以存取單元串中的一者中的數據。

大體來說，通過減小構成存儲器單元的電裝置的大小及存取存儲器單元的導電線的大小，可使存儲器裝置較小。另外，可通過在存儲器裝置中的給定區上裝配更多存儲器單元而增加存儲容量。

間距的概念可用以描述例如存儲器裝置的集成電路中的特征的大小的一個方面。將間距定義為兩個相鄰特征(例如，陣列中的特征，其通常以重復圖案布置)中的相同點之間的距離。所述特征通常由鄰近特征之間的間隔來界定，所述間隔通常由例如絕緣體的材料來填充。因此，可將間距視為特征的寬度與在特征的一側上將所述特征與相鄰特征分開的間隔的寬度的和。應了解，間隔及特征(例如，線)通常重復以形成間隔物及特征的重復圖案。

臨界尺寸(CD)是用以描述特征的大小的另一術語。臨界尺寸是特定電路或掩蔽方案中的特征的最小尺寸。在集成電路制造期間，控制特定結構(例如，淺溝槽隔離(STI)結構)的CD有助于通過(例如)確保可預測的電路性能來促進集成電路的連續大小減小。

特征大小的連續減小對用以形成所述特征的技術提出更大需求。舉例來說，光刻在集成電路制造中通常用以圖案化特征(例如，導電線)。然而，由于例如光學器件、光或輻射波長及可用光致抗蝕劑材料的因素，光刻技術可各自具有一最小間距或臨界尺寸，特定光刻技術在所述最小間距或臨界尺寸以下不能可靠地形成特征。因此，光刻技術的固有限制是連續特征大小減小的阻礙。