[發(fā)明專利]納米結(jié)構(gòu)多功能鐵磁復(fù)合薄膜材料和制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410162403.6 | 申請(qǐng)日: | 2014-04-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103956261A | 公開(公告)日: | 2014-07-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉保亭;賈艷麗;閆啟庚;施健;李曉紅;代秀紅;郭建新;周陽;趙慶勛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 河北大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01F41/18 | 分類號(hào): | H01F41/18;H01F10/18;C23C14/35;C23C14/34;C23C14/08 |
| 代理公司: | 石家莊國域?qū)@虡?biāo)事務(wù)所有限公司 13112 | 代理人: | 蘇艷肅 |
| 地址: | 071002 *** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 納米 結(jié)構(gòu) 多功能 復(fù)合 薄膜 材料 制備 方法 | ||
1.納米結(jié)構(gòu)多功能鐵磁復(fù)合薄膜材料的制備方法,其特征在于采用磁控脈沖激光共濺射方法實(shí)現(xiàn),具體包括以下步驟:
①在磁控脈沖激光共濺射裝置的激光靶位選用純度>99.95%的LaxN1-xMyO3陶瓷激光靶材,磁控靶位選擇純度>99.99%的Pt金屬磁控靶材;其中,M=Fe、Ni、Co、Cr或Mn,?N=Ca,Sr,Bi或Ba;0<X≤1,?0<Y;?
②將厚度0.1?mm-2?mm的襯底置于磁控脈沖激光共濺射裝置中的樣品臺(tái)上;
③生長納米多功能鐵磁復(fù)合薄膜:真空室的背底真空度為(0.01~10)×10-4?Pa?,?激光脈沖濺射的靶間距為1~10?cm,?磁控濺射的靶間距為1~15?cm,?準(zhǔn)備濺射時(shí)充入高純氬氣,保持動(dòng)態(tài)平衡濺射氣壓為0.01~80?Pa,激光脈沖濺射功率密度為0.1~5?J/cm2,?激光濺射頻率為1~10?Hz,磁控濺射功率密度為0.15~10?W/cm2,得到10-1000?nm?的MPt:?LaNMO4納米結(jié)構(gòu)多功能鐵磁復(fù)合薄膜材料,其中Pt來自于磁控濺射,M來自于激光靶材LaxN1-xMyO3分解的單質(zhì)金屬。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米結(jié)構(gòu)多功能鐵磁復(fù)合薄膜材料的制備方法,其特征在于,
第②步中,襯底為石英非晶襯底或者藍(lán)寶石、Si、SrTiO3、MgO單晶拋光的材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的納米結(jié)構(gòu)多功能鐵磁復(fù)合薄膜材料的制備方法,其特征在于,
第③步中,濺射溫度為室溫,濺射結(jié)束后,在0.01~10×10-4??Pa的超高真空退火系統(tǒng)中進(jìn)行退火處理,?退火溫度為100~1000℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米結(jié)構(gòu)多功能鐵磁復(fù)合薄膜材料的制備方法,其特征在于,
第②步中,襯底為晶格常數(shù)匹配的單晶基片;
第③步中濺射溫度為400~1000?℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米結(jié)構(gòu)多功能鐵磁復(fù)合薄膜材料的制備方法,其特征在于,
第③步中,M和Pt原子比可以為不同值。
6.權(quán)利要求3所述的制備方法所制備的納米結(jié)構(gòu)多功能鐵磁復(fù)合薄膜材料,其特征在于,納米鐵磁顆粒MPt被非磁性物質(zhì)LaNMO4包圍、隔離形成0-3型MPt:La?NMO4復(fù)合薄膜。
7.權(quán)利要求4所述的制備方法所制備的納米結(jié)構(gòu)多功能鐵磁復(fù)合薄膜材料,其特征在于MPt納米線被非磁性物質(zhì)LaNMO4包圍、隔離形成1-3型MPt:La?NMO4復(fù)合薄膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的納米結(jié)構(gòu)多功能復(fù)合薄膜材料,其特征在于,M=Fe,N=?Sr。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米結(jié)構(gòu)多功能鐵磁復(fù)合薄膜材料的制備方法,其特征在于,M=Fe,N=?Sr。
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