[發明專利]基于碳量子點的載流子注入式藍光和白光LED及制作方法無效
| 申請號: | 201410161181.6 | 申請日: | 2014-04-21 |
| 公開(公告)號: | CN103915553A | 公開(公告)日: | 2014-07-09 |
| 發明(設計)人: | 張宇;王鶴林;張曉宇;于偉泳;王一丁;張鐵強;王國光 | 申請(專利權)人: | 吉林大學 |
| 主分類號: | H01L33/50 | 分類號: | H01L33/50;H01L33/48;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司: | 長春吉大專利代理有限責任公司 22201 | 代理人: | 朱世林;王壽珍 |
| 地址: | 130012 吉*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 量子 載流子 注入 光和 白光 led 制作方法 | ||
技術領域
本發明涉及新型材料在照明領域的應用。提出采用碳量子點作為LED發光層,利用碳量子點具有多種發光中心的特性,通過結構設計,給出基于碳量子點載流子注入式藍光和白光LED結構及其制作方法。
背景技術
近幾年,隨著全球能源危機以及人們節能環保意識的逐步增強,大量節能環保材料走進了我們的生活。發光二極管(Light-Emitting?Diode,簡寫LED)具有耗能低、產熱少、壽命長等優點,正逐步取代傳統的照明材料,成為新一代的照明光源。
傳統LED主要使用稀土材料或有機材料作為發光材料。半導體量子點是一種新型的LED發光材料,與傳統的LED發光材料相比,具有發光效率更高、使用壽命更長、顏色的純度更好等優勢。相較于傳統發光材料制備的LED,量子點LED具有發光顏色可調性,通過調整量子點的尺寸或激發條件,從而實現發光波長的調整,使得量子點的發光波長可覆蓋所有可見光波段。然而,如今應用于量子點LED的主要是重金屬元素量子點,如硫化鎘(CdS)、硒化鎘(CdSe)、硒化鉛(PbSe)、銻化汞(HgTe)、硫化鉛(PbS)等。顯現出價格昂貴、毒性大、污染環境等缺點,限制了它的普及應用。
為了克服以上所述問題,本文提出碳量子點(Carbon?Quantum?Dots,簡寫CDs)作為LED的發光層材料,其不但具備傳統半導體量子點的發光性能,如光飽和度高、壽命長等優勢,而且具備無毒、制備成本低、綠色環保等獨有優勢,此外,碳量子點是一種依賴于激發波長的發光層材料,具有多種發光中心。
經查找發現,目前已有使用碳量子點作為熒光粉發光材料的報道,例如專利201310030487.3和201310030487.3中將碳量子點熒光粉涂覆在藍光LED(如氮化鎵LED)上,使碳量子點熒光粉光致發光,專利201310267381.5將碳量子點發光粉末置于發光層上或與發光層中發光材料混合,通過發光層中其它發光材料發光作為碳量子點激發源,實現碳量子點熒光粉末發光。但是,使用碳量子點作為LED電致發光層材料,通過結構設計,實現載流子注入式藍光和白光LED及制作方法,國內外未見有相關報道。
發明內容
為了克服傳統量子點LED材料的重金屬污染、毒性大、價格昂貴等缺點,本發明提出采用無毒環保、均勻性好、色飽和度高、成本低廉的碳量子點作為LED發光材料,設計基于碳量子點的載流子注入式藍光和白光LED。
本發明是采用如下技術方案實現的,結合附圖說明如下:
1、基于碳量子點的載流子注入式藍光和白光LED及制作方法,以3.3nm碳量子點作為發光層,通過控制器件的電子遷移層和陰極的厚度及材料,實現載流子注入發光層,從而得到碳量子點的電致發光。其結構包括:導電玻璃(Indium?Tin?Oxides,簡寫ITO)薄膜的襯底1;聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrenesulfonate),簡寫PEDOT:PSS)空穴注入層2;聚三苯胺(Poly[N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzi,簡寫Poly-TPD))空穴遷移層3;碳量子點發光層4;氧化鋅(ZnO)納米晶或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(1,3,5-Tris(1-phenyl-1H-benzimidazol-2-yl)benzene,簡寫TPBi))電子遷移層5;氟化鋰和鋁雙層電極(LiF/Al)或鋁電極(Al)陰極6。
2、基于碳量子點的載流子注入式藍光和白光LED及制作方法,基于碳量子點的載流子注入式LED的具體制備方法如下:
第一步、制備碳量子點;
第二步、將帶有ITO薄膜的玻璃襯底1,進行超聲凈洗和紫外線處理;
第三步、通過旋涂的方法將PEDOT:PSS溶液沉積在ITO電極上;
第四步、將滿足能級匹配要求的空穴遷移層旋涂在PEDOT:PSS空穴注入層2上;
第五步、將碳量子點溶液旋涂在空穴遷移層3上;
第六步、加熱退火后,通過熱蒸鍍或旋涂的方法,將滿足能級匹配要求的電子遷移層5沉積到碳量子點薄膜4上;
第七步、在器件表面熱蒸鍍電極6。
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