[發明專利]基于碳量子點的載流子注入式藍光和白光LED及制作方法

無效

• 申請號: 201410161181.6
• 申請日: 2014-04-21
• 公開（公告）號: CN103915553A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 張宇;王鶴林;張曉宇;于偉泳;王一丁;張鐵強;王國光
• 申請（專利權）人: 吉林大學
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50;H01L33/48;H01L33/06;H01L33/00
• 代理公司: 長春吉大專利代理有限責任公司 22201
• 代理人: 朱世林;王壽珍

1.基于碳量子點的載流子注入式藍光和白光LED及制作方法，其特征在于以3.3nm碳量子點作為發光層，通過控制器件的電子遷移層和陰極的厚度及其材料，通過載流子注入發光層，從而實現碳量子點的電致發光；其結構包括：導電玻璃，即ITO薄膜的玻璃襯底（1），PEDOT:PSS空穴注入層（2），Poly-TPD空穴遷移層（3），碳量子點發光層（4），TPBi或ZnO電子遷移層（5），LiF/Al或Al陰極（6）。

2.基于碳量子點的載流子注入式藍光和白光LED及制作方法，其特征在于基于碳量子點的載流子注入式LED的具體制備方法如下：

第一步、制備碳量子點；

第二步、將帶有ITO薄膜的玻璃襯底（1），進行超聲凈洗和紫外線處理；

第三步、通過旋涂的方法將PEDOT:PSS溶液沉積在ITO電極上；

第四步、將滿足能級匹配要求的空穴遷移層旋涂在PEDOT:PSS空穴注入層（2）上；

第五步、將碳量子點溶液旋涂在空穴遷移層（3）上；

第六步、加熱退火后，通過熱蒸鍍或旋涂的方法，將滿足能級匹配要求的電子遷移層（5）沉積到碳量子點薄膜（4）上；

第七步、在器件表面熱蒸鍍電極（6）。

3.根據權利要求1所述的基于碳量子點的載流子注入式藍光和白光LED及制作方法，其特征在于基于碳量子點的載流子注入式藍光LED的結構設計為：ITO薄膜的玻璃襯底、25nm?PEDOT:PSS空穴注入層、40nm?Poly-TPD空穴遷移層、20nm碳量子點發光層、5nm?TPBi電子遷移層、5nm?LiF和150nm?Al雙層電極。

4.根據權利要求1所述的基于碳量子點的載流子注入式藍光和白光LED及制作方法，其特征在于基于碳量子點的載流子注入式白光LED的結構設計為：ITO薄膜的玻璃襯底、25nm?PEDOT:PSS空穴注入層、40nm?Poly-TPD空穴遷移層、20nm碳量子點發光層、10nm?ZnO電子遷移層、150nm?Al陰極。