[發明專利]晶體管的多晶硅發射極制造的方法

有效

• 申請號: 201410160444.1
• 申請日: 2014-04-21
• 公開（公告）號: CN105097505B
• 公開（公告）日: 2017-10-20
• 發明（設計）人: 潘光燃;文燕;王焜;石金成;張建湘;高振杰
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L21/28
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205
• 代理人: 劉芳

1.一種晶體管的多晶硅發射極制造的方法，其特征在于，包括：

在包含有N型集電區、P型基區、第一氧化層、第二氧化層的襯底表面進行光刻、刻蝕，形成發射區窗口，露出與所述發射區窗口寬度相同的P型基區區域；

在所述第一氧化層、第二氧化層的表面和所述發射區窗口中淀積未摻雜的多晶硅，以使所述未摻雜的多晶硅完全覆蓋所述發射區窗口區域；

在所述淀積未摻雜的多晶硅后的襯底表面進行光刻、刻蝕，去除所述發射區窗口區域之外區域的未摻雜的多晶硅，保留的未摻雜的多晶硅的寬度大于等于發射區窗口的寬度；

采用離子注入工藝對所述發射區窗口內的未摻雜的多晶硅注入摻雜元素；

對注入摻雜元素后的襯底進行第一熱處理，以使所述發射區窗口中的多晶硅中的摻雜元素擴散至所述露出的P型基區區域的表層之中，形成N型擴散區；

所述在所述第一氧化層、第二氧化層的表面和所述發射區窗口中淀積未摻雜的多晶硅之前，還包括：

對露出P型基區區域之后的襯底進行第二熱處理，以修復所述P型基區區域的損傷。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二熱處理為快速熱處理，溫度為950至1150攝氏度，時間為10至200秒。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二熱處理為爐管熱處理，溫度為800至1150攝氏度，時間為10至300分鐘。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成N型擴散區之后，還包括：

對形成N型擴散區之后的襯底進行第三熱處理，以釋放晶圓內的應力。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述第三熱處理的溫度為350至700攝氏度，時間為30至300分鐘。

6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述第三熱處理的溫度小于所述第一熱處理的溫度。

7.根據權利要求1-6中任一項所述的方法，其特征在于，所述第一熱處理為快速熱處理。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一熱處理的溫度為900至1150攝氏度，時間為10至200秒。

9.根據權利要求1-6中任一項所述的方法，其特征在于，所述保留的未摻雜的多晶硅的寬度超出發射區窗口邊緣0.1至0.5微米。