[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲器件和包括其的半導(dǎo)體系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410160427.8
• 申請日: 2014-04-21
• 公開（公告）號: CN104517654B
• 公開（公告）日: 2019-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 具岐峰
• 申請（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C29/44
• 分類號: G11C29/44
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;周曉雨

一種半導(dǎo)體存儲器件，包括：存儲器單元陣列，其包括用于儲存多個數(shù)據(jù)的正常區(qū)、用于儲存分別與多個正常數(shù)據(jù)相對應(yīng)的多個錯誤信息數(shù)據(jù)的錯誤信息區(qū)、以及用于替換正常區(qū)的冗余區(qū)；錯誤檢測單元，適用于響應(yīng)于所述多個錯誤信息數(shù)據(jù)而檢測所述多個數(shù)據(jù)上的錯誤，以及基于錯誤檢測結(jié)果來儲存指示正常區(qū)和冗余區(qū)中的具有錯誤的數(shù)據(jù)的存儲區(qū)的錯誤位置信息；以及修復(fù)操作單元，適用于在修復(fù)操作時段期間，利用冗余區(qū)來替換由錯誤位置信息指示的存儲區(qū)。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求2013年10月7日提交的申請?zhí)枮?0-2013-0119170的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的示例性實施例涉及一種半導(dǎo)體設(shè)計技術(shù)，更具體而言，涉及一種用于對存儲器單元執(zhí)行修復(fù)操作的半導(dǎo)體存儲器件和包括其的半導(dǎo)體系統(tǒng)。

背景技術(shù)

通常，隨著半導(dǎo)體系統(tǒng)的容量增大，半導(dǎo)體系統(tǒng)的可靠性和良率可能惡化。因而，半導(dǎo)體系統(tǒng)通過對數(shù)據(jù)加入錯誤校正碼（ECC）以及修復(fù)缺陷存儲器單元的錯誤來改善其可靠性和良率。

圖1是說明典型的半導(dǎo)體存儲器件的ECC電路的框圖。參見圖1，典型的半導(dǎo)體存儲器件包括：存儲器單元陣列100、數(shù)據(jù)輸入/輸出單元140以及ECC電路120。

存儲器單元陣列100儲存輸入數(shù)據(jù)DATA和輸出數(shù)據(jù)DATA，它們被儲存在存儲器單元陣列100上。

數(shù)據(jù)輸入/輸出單元140接收從外部設(shè)備（未示出）提供的輸入數(shù)據(jù)DATA，并且將輸入數(shù)據(jù)DATA傳送至存儲器單元陣列100。數(shù)據(jù)輸入/輸出單元140將從存儲器單元陣列100輸出的數(shù)據(jù)DATA輸出至外部設(shè)備。

ECC電路120判斷儲存在存儲器單元陣列100上的數(shù)據(jù)DATA是否發(fā)生錯誤，并且在數(shù)據(jù)DATA從存儲器單元陣列100輸出至外部設(shè)備時校正錯誤。ECC電路120還判斷在輸入至存儲器單元陣列100的輸入數(shù)據(jù)DATA中是否發(fā)生錯誤，并且校正錯誤。因而，可以改善輸入至半導(dǎo)體存儲器件/從半導(dǎo)體存儲器件輸入的數(shù)據(jù)DATA的可靠性。

然而，由于將ECC電路120增加至半導(dǎo)體存儲器件，所以半導(dǎo)體存儲器件的面積增加。此外，由于對輸入至存儲器單元陣列100/從存儲器單元陣列100輸出的數(shù)據(jù)執(zhí)行ECC電路的操作，如果在數(shù)據(jù)中發(fā)生錯誤，則在修復(fù)錯誤之后難以將數(shù)據(jù)與操作時鐘同步。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的示例性實施例針對一種基于輸出數(shù)據(jù)的錯誤發(fā)生來執(zhí)行修復(fù)操作的半導(dǎo)體存儲器件和半導(dǎo)體系統(tǒng)。

本發(fā)明的示例性實施例針對一種半導(dǎo)體系統(tǒng)，其用于修復(fù)輸入至半導(dǎo)體存儲器件/從半導(dǎo)體存儲器件輸出的數(shù)據(jù)的錯誤，同時將資源（即，邏輯電路或延遲電路）的使用最小化。

根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例，一種半導(dǎo)體存儲器件包括：存儲器單元陣列，其包括用于儲存多個數(shù)據(jù)的正常區(qū)、用于儲存分別與所述多個數(shù)據(jù)相對應(yīng)的多個錯誤信息數(shù)據(jù)的錯誤信息區(qū)、以及用于替換正常區(qū)的冗余區(qū)；錯誤檢測單元，適用于響應(yīng)于所述多個錯誤信息數(shù)據(jù)而檢測所述多個數(shù)據(jù)上的錯誤，以及基于檢測結(jié)果而儲存指示正常區(qū)和冗余區(qū)中的具有錯誤的數(shù)據(jù)的存儲區(qū)的錯誤位置信息；以及修復(fù)操作單元，適用于在修復(fù)操作時段期間利用冗余區(qū)來替換由錯誤位置信息指示的存儲區(qū)。

根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例，一種半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)包括：半導(dǎo)體控制器，適用于產(chǎn)生多個輸入數(shù)據(jù)，每個輸入數(shù)據(jù)包括數(shù)據(jù)以及用于判斷數(shù)據(jù)上的錯誤發(fā)生的錯誤信息數(shù)據(jù)；以及半導(dǎo)體存儲器件，適用于在寫入操作時段期間儲存所述多個輸入數(shù)據(jù)，在讀取操作時段期間響應(yīng)于多個錯誤信息數(shù)據(jù)而檢測多個數(shù)據(jù)上的錯誤發(fā)生并且儲存指示具有錯誤的數(shù)據(jù)的存儲區(qū)的錯誤位置信息，以及在修復(fù)操作時段期間修復(fù)由錯誤位置信息指示的存儲區(qū)，其中，在讀取操作時段期間，半導(dǎo)體控制器基于從半導(dǎo)體存儲器件傳送的錯誤發(fā)生檢測結(jié)果來控制半導(dǎo)體存儲器件的修復(fù)操作時段。

附圖說明