[發明專利]半導體存儲器件和包括其的半導體系統有效
| 申請號： | 201410160427.8 | 申請日： | 2014-04-21 |
| 公開（公告）號： | CN104517654B | 公開（公告）日： | 2019-06-25 |
| 發明（設計）人： | 具岐峰 | 申請（專利權）人： | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號： | G11C29/44 | 分類號： | G11C29/44 |
| 代理公司： | 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;周曉雨 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 冗余區 正常區 半導體存儲器件 錯誤位置信息 錯誤信息數據 儲存 替換 存儲器單元陣列 錯誤檢測單元 錯誤檢測結果 修復 半導體系統 操作單元 操作時段 錯誤信息 正常數據 響應 檢測 | ||
1.一種半導體存儲器件，包括：
存儲器單元陣列，其包括：用于儲存多個數據的正常區、用于儲存分別與所述多個數據相對應的多個錯誤信息數據的錯誤信息區、以及用于替換所述正常區的冗余區；
寫入操作單元，適用于：將輸入數據的第一比特作為所述多個數據中的一個儲存在所述存儲器單元陣列上，以及將所述輸入數據的第二比特作為所述多個錯誤信息數據中的相應一個儲存在所述錯誤信息區上；
錯誤檢測單元，適用于：響應于所述多個錯誤信息數據而檢測所述多個數據上的錯誤，以及基于錯誤檢測結果來儲存錯誤位置信息，所述錯誤位置信息指示所述正常區中的具有錯誤的數據的存儲區；以及
修復操作單元，適用于：在修復操作時段期間，利用所述冗余區來替換由所述錯誤位置信息指示的所述存儲區。
2.如權利要求1所述的半導體存儲器件，還包括：
讀取操作單元，適用于：將儲存在所述存儲器單元陣列上的所述多個數據中的一個選擇作為選中的數據、將所述多個錯誤信息數據中的與所述選中的數據相對應的一個選擇作為選中的錯誤信息數據、以及將通過組合所述選中的數據和所述選中的錯誤信息數據而產生的輸出數據輸出。
3.如權利要求2所述的半導體存儲器件，其中，所述錯誤檢測單元包括：
錯誤發生判斷單元，適用于：通過基于所述選中的錯誤信息數據而判斷在所述選中的數據中是否發生錯誤，來產生錯誤判斷信號；以及
錯誤信息儲存單元，適用于：響應于所述錯誤判斷信號，將指示所述選中的數據被儲存在所述正常區中何處的讀取地址儲存作為所述錯誤位置信息。
4.如權利要求3所述的半導體存儲器件，其中，所述錯誤檢測單元還包括：
錯誤信息輸出單元，適用于輸出所述錯誤判斷信號和所述錯誤位置信息。
5.如權利要求3所述的半導體存儲器件，其中，在響應于所述錯誤判斷信號而判斷出的所述修復操作時段期間，所述修復操作單元利用所述冗余區來替換用于儲存所述選中的數據的所述正常區。
6.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述冗余區包括第一冗余區和第二冗余區。
7.如權利要求6所述的半導體存儲器件，其中，在所述修復操作時段期間，如果所述存儲區是所述正常區，則所述修復操作單元利用所述第一冗余區來替換所述存儲區，而如果所述存儲區是所述第一冗余區，則所述修復操作單元利用所述第二冗余區來替換所述存儲區。
8.如權利要求2所述的半導體存儲器件，還包括：
寫入錯誤發生判斷單元，適用于：基于所述輸入數據的第二比特來判斷在所述輸入數據的第一比特中是否發生錯誤，以及產生寫入錯誤判斷信號。
9.如權利要求8所述的半導體存儲器件，其中，所述寫入操作單元響應于所述寫入錯誤判斷信號而將所述輸入數據儲存在所述存儲器單元陣列上。
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