[發明專利]一種像素表面平整度實現方法

在審

• 申請號: 201410160178.2
• 申請日: 2014-04-21
• 公開（公告）號: CN103915333A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 杜寰
• 申請（專利權）人: 上海聯星電子有限公司
• 主分類號: H01L21/3105
• 分類號: H01L21/3105;G02F1/1343;G02F1/1333
• 代理公司: 北京華沛德權律師事務所 11302
• 代理人: 劉杰

技術領域

本發明涉及像素制造技術領域，特別涉及一種像素表面平整度實現方法。

背景技術

硅基液晶(Liquid?Crystal?on?Silicon,LCoS)是一種液晶顯示器(LCD)的新興技術，是由Aurora?Systems融合半導體CMOS集成電路與液晶兩項技術的優勢，于2000年開發出的一種高分辨率，低價格，反射式新型顯示技術。它是一種將LCD直接制于單晶硅片上的新型液晶顯示器件。單晶硅片上可將LCD的有源矩陣薄膜晶體管(AMTFT)，外部驅動電路及控制電路等全部制于上面,以此作為LCD的一塊基板，與另一塊作為公共電極的涂上透明導電層的玻璃基板共同封接成一個薄盒,注入液晶即可制成硅基液晶顯示器件。

LCoS具有智能化、引線少、體積小、像素開口率高、分辨率高、光利用率高、顯示方式多樣化、易于實現彩色化、投資少、利于大批量生產等優點。同時又需要特殊的材料、工藝、設計、檢測及配套等關鍵技術，提高了LCoS微顯示技術的難度。

LCoS為反射型顯示器件，外部強光源透過液晶層，照射到反射鏡面電極上，經鏡面電極反射入人眼，利用液晶層兩端電壓控制液晶層的透明度來控制反射出液晶層的光線的強度，實現灰度調制功能。

LCoS技術采用的液晶材料厚度一般在2μm左右，硅基板的表面起伏對液晶厚度的均勻性影響很大，因此LCoS技術要求硅基板的平整度非常高。

發明內容

本發明的目的包括提供一種像素表面平整度實現方法，優選地，在集成電路制造過程中，每次介質層制備完成均施行一次CMP工藝，確保鏡面反射電極制備之前的像素表面的平整度。LCoS技術采用的液晶層厚度為2μm左右，像素表面的高低起伏會對液晶的厚度均勻性帶來嚴重影響，并且像素表面電極如果不平整，容易形成漫反射，鏡面反射電極徒有其名，嚴重影響顯示效果；另外，LCoS像素區域鏡面反射電極一般采用鋁來制備，但是鋁暴露在空氣中極易氧化，反射率大大降低。本發明旨在解決上述技術問題。

本發明的目的是通過以下技術方案來實現的：一種像素表面平整度實現方法，其特征在于，包括：硅襯底及集成電路器件制備步驟、PECVD（等離子增強化學氣相淀積）方法生長介質步驟、鋁布線步驟、濺射Ti/TiN和鎢步驟。

在一個實施方案中，還包括光刻并刻蝕接觸孔的步驟。

在另一個實施方案中，進一步包括CMP（化學機械拋光）步驟，保證硅片表面平整度。

在又一個實施方案中，所述所述PECVD方法生長介質的步驟進行三次。優選地，所述CMP步驟也進行三次。

在一個實施方案中，還包括制備鏡面反射電極的步驟。

優選地，采用銀來制備所述鏡面反射電極。

在一個實施方案中，還包括制備薄盒，灌裝液晶的步驟。

在一個優選的實施方案中，其包括以下工藝步驟：

（1）硅襯底及集成電路器件制備；

（2）PECVD（等離子增強化學氣相淀積）方法生長介質一；

（3）CMP（化學機械拋光），保證硅片表面平整度；

（4）光刻并刻蝕接觸孔；

（5）濺射鋁并光刻、刻蝕，形成一鋁布線；

（6）PECVD介質二

（7）CMP；

（8）刻一次通孔；

（9）二鋁布線；

（10）PEECVD介質三

（11）CMP；

（12）刻二次通孔；

（13）濺射Ti/TiN和鎢，反刻鎢，形成鎢塞；

（14）蒸銀；

（15）剝離銀，形成銀反射電極；

（16）制備薄盒，灌裝液晶；

（17）鍵合引出電路管腳；

（18）成品測試。

在一個實施方案中，所述像素為反射型顯示器件的像素。

在一個尤為優選的實施方案中，所述反射型顯示器件為LCoS(Liquid?Crystal?on?Silicon,LCoS)。

本發明提供的像素表面平整度實現方法具有如下有益效果：每次介質層制備完成均施行一次CMP工藝，確保鏡面反射電極制備之前的像素表面的平整度；同時，本發明用銀代替鋁制備鏡面反射電極，提高了鏡面反射電極反射率和抗氧化性。

附圖說明

圖1為本發明的LCoS微顯示驅動面板制備的具體工藝步驟；

圖2為AFM測試所得像素區域表面形貌示意圖。

具體實施方式

下面結合實施例對本發明進行進一步的詳細說明，應理解下述實施例為示例性而非限制性的，旨在說明以及解釋本發明的構思和精神。