[發明專利]一種像素表面平整度實現方法

在審

• 申請號: 201410160178.2
• 申請日: 2014-04-21
• 公開（公告）號: CN103915333A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 杜寰
• 申請（專利權）人: 上海聯星電子有限公司
• 主分類號: H01L21/3105
• 分類號: H01L21/3105;G02F1/1343;G02F1/1333
• 代理公司: 北京華沛德權律師事務所 11302
• 代理人: 劉杰

1.一種像素表面平整度實現方法，其特征在于，包括：硅襯底及集成電路器件制備步驟、PECVD（等離子增強化學氣相淀積）方法生長介質步驟、鋁布線步驟、濺射Ti/TiN和鎢步驟。

2.如權利要求1所述的像素表面平整度實現方法，其特征在于，還包括光刻并刻蝕接觸孔的步驟。

3.如權利要求1或2所述的像素表面平整度實現方法，其特征在于，進一步包括CMP（化學機械拋光）步驟，保證硅片表面平整度。

4.如權利要求3所述的像素表面平整度實現方法，其特征在于，所述PECVD方法生長介質的步驟進行三次。優選地，所述CMP步驟也進行三次。

5.如權利要求1-3任一項所述的像素表面平整度實現方法，其特征在于，還包括制備鏡面反射電極的步驟。

6.如權利要求5所述的像素表面平整度實現方法，其特征在于，采用銀來制備所述鏡面反射電極。

7.如權利要求1-6任一項所述的像素表面平整度實現方法，其特征在于，還包括制備薄盒，灌裝液晶的步驟。

8.如權利要求1-7任一項所述的像素表面平整度實現方法，其特征在于，其包括以下工藝步驟：

（1）硅襯底及集成電路器件制備；

（2）PECVD（等離子增強化學氣相淀積）方法生長介質一；

（3）CMP（化學機械拋光），保證硅片表面平整度；

（4）光刻并刻蝕接觸孔；

（5）濺射鋁并光刻、刻蝕，形成一鋁布線；

（6）PECVD介質二

（7）CMP；

（8）刻一次通孔；

（9）二鋁布線；

（10）PEECVD介質三

（11）CMP；

（12）刻二次通孔；

（13）濺射Ti/TiN和鎢，反刻鎢，形成鎢塞；

（14）蒸銀；

（15）剝離銀，形成銀反射電極；

（16）制備薄盒，灌裝液晶；

（17）鍵合引出電路管腳；

（18）成品測試。

9.如權利要求1-8任一項所述的像素表面平整度實現方法，其特征在于，所述像素為反射型顯示器件的像素。

10.如權利要求9所述的像素表面平整度實現方法，其特征在于，所述反射型顯示器件為LCoS(Liquid?Crystal?on?Silicon,LCoS)。