[發(fā)明專利]強酸集中供液系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410159200.1 | 申請日: | 2014-04-18 | 
| 公開(公告)號: | CN103939739B | 公開(公告)日: | 2017-01-11 | 
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王廣軍;劉亞偉;劉付炯;楊慶杰 | 申請(專利權(quán))人: | 無錫尚德太陽能電力有限公司;洛陽尚德太陽能電力有限公司 | 
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;F17D1/08 | 
| 代理公司: | 無錫市大為專利商標事務(wù)所(普通合伙)32104 | 代理人: | 曹祖良,劉海 | 
| 地址: | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼: | 江蘇;32 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 強酸 集中 系統(tǒng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種強酸集中供液系統(tǒng),尤其是一種減少酸氣溢出、提高抽酸量的供液裝置。
背景技術(shù)
強酸(包含HF、HCl、HNO3、H2SO4等)一般采用集中供液系統(tǒng),采取特殊的措施,方便集中管理和使用。強酸從集中供液房通過輸送系統(tǒng),送到不同的地方,以滿足到不同的工藝需求。現(xiàn)有技術(shù)中,集中供酸系統(tǒng)一般采用如圖1所示的結(jié)構(gòu),在泵2a的出液端的管道上連接回液管3a,但是由于回液管3a與儲酸槽5a之間未密封,空氣和酸氣可以自由進出,空氣中的灰塵進入儲酸槽5a會污染酸液,對工藝造成潛在影響,對要求高的半導(dǎo)體行業(yè)是不可忽視的因素;并且,酸氣溢出也會造成集中供液房酸氣大,影響工人身心健康。另外,現(xiàn)有的集中供液系統(tǒng)由于抽液管的設(shè)計不夠合理,酸液抽不凈,余量一般為了5%~8%,造成浪費。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足,提供一種強酸集中供液系統(tǒng),防止酸氣溢出對環(huán)境、健康的影響,并且使液管最大限度的抽酸,減少浪費。
按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案,所述強酸集中供液系統(tǒng),包括儲酸罐,儲酸罐中插入出液管,出液管的管口插入儲酸罐的槽底,出液管與泵的進口連接,泵的出口端的管道與回液管連接,回液管與儲酸槽之間密封,回液管插入儲酸槽中;其特征是:在所述回液管上連接進氣管,進氣管的進氣端連接單向閥和過濾器。
所述出液管伸入儲酸槽中的長度比儲酸槽的高度長6~10mm,出液管伸入儲酸槽中的部分呈弧形,出液管的管口抵住儲酸槽的槽底。
在所述出液管的管口設(shè)置多個缺口。
所述缺口為半圓形、鋸齒形或矩形,缺口的高度為出液管半徑的一半。
所述回液管的管口位于儲酸槽的液面以上。
本發(fā)明所述強酸集中供液系統(tǒng)通過單向閥、過濾器,避免了酸氣溢出對環(huán)境、健康的影響;并且重新對出液管進行設(shè)計,使管子最大限度的抽酸,減少浪費。
附圖說明
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中集中供酸系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3為所述出液管管口的示意圖。
具體實施方式
下面結(jié)合具體附圖對本發(fā)明作進一步說明。
如圖2~圖3所示:所述強酸集中供液系統(tǒng)包括缺口1、泵2、回液管3、出液管4、儲酸罐5、過濾器6、單向閥7、進氣管8等。
如圖2所示,本發(fā)明包括儲酸罐5,儲酸罐5中插入出液管4,出液管4的管口插入儲酸罐5的槽底,出液管4與泵2的進口連接,泵2的出口端的管道與回液管3連接,回液管3插入儲酸槽5中,回液管3與儲酸槽5之間密封,回液管3的管口位于儲酸槽5的液面以上;在所述回液管3上連接進氣管8,進氣管8的進氣端連接單向閥7和過濾器6,過濾器6可以防止灰塵進入儲酸罐5,單向閥7可以保證空氣只能進入補壓而不能出;
所述出液管4伸入儲酸槽5中的長度加長6~10mm、并且出液管4呈弧形,出液管4的管口抵住儲酸槽5的槽底;如圖3所示,在所述出液管4的管口設(shè)置4個半圓形缺口1,缺口1的半徑為出液管4半徑的一半,比如出液管4半徑為10mm,缺口1應(yīng)開半徑5mm,這樣最后余量液面會低于1厘米,對于200L的儲酸槽5酸液余量會小于2%;
所述缺口1的形狀也可以為鋸齒形、矩形或其它形狀,高度為出液管4半徑的一半。
采用本發(fā)明所述的強酸集中供液系統(tǒng)后,酸氣濃度從以前的10-100ppm,降低到0-0.5ppm;酸的殘余量由以前的5-10KG/桶,降低到3-5?KG/桶。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





