[發明專利]積層陶瓷基板的切斷方法有效
| 申請號: | 201410158713.0 | 申請日: | 2014-04-18 |
| 公開(公告)號: | CN104339461B | 公開(公告)日: | 2017-09-29 |
| 發明(設計)人: | 武田真和;田村健太 | 申請(專利權)人: | 三星鉆石工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;B28D5/04;B28D7/00;B28D7/04;C03B33/02 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287 | 代理人: | 沈錦華 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陶瓷 切斷 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種積層有玻璃層與陶瓷基板的積層陶瓷基板的切斷方法。
背景技術
先前,在將在陶瓷基板上積層有金屬層的積層陶瓷基板切斷的情形時,多為使用切割鋸等進行切斷。此外,在專利文獻1中提出一種玻璃陶瓷基板的切斷方法,即在多次以輕負荷對玻璃陶瓷基板劃線之后,將該玻璃陶瓷基板切斷。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2001-113521號公報
發明內容
[發明所要解決的問題]
在專利文獻1中,多次對玻璃陶瓷基板劃線,但并非為將積層有玻璃層與陶瓷層的積層陶瓷基板切斷的方法。
雖針對積層有玻璃層與陶瓷層的積層陶瓷基板的開發不斷向前推進,但其切斷方法卻并未確立。本發明的目的在于可將包含玻璃層的陶瓷基板完全切斷而使之個體化。
[解決問題的技術手段]
為解決所述課題,本發明的積層陶瓷基板的切斷方法是積層有具有100μm以上的膜厚的玻璃層、及具有100μm以上的膜厚的至少1層陶瓷層的積層陶瓷基板的切斷方法;在所述積層陶瓷基板的一表面沿預定切斷線形成第1劃線,且在所述積層陶瓷基板的另一表面沿預定切斷線形成第2劃線,并沿所述第1或第2劃線壓抵切斷桿進行切斷,由此將積層陶瓷基板沿劃線切斷。
此處,所述積層陶瓷基板也可為在玻璃層的兩表面積層有第1、第2陶瓷層者。
此處,所述玻璃層及陶瓷層也可為具有100μm~500μm的膜厚者。
[發明的效果]
根據具有所述特征的本發明,對積層有玻璃層與陶瓷層的積層陶瓷基板自兩表面劃線而進行切斷。因此可獲得如下效果,即,可將積層陶瓷基板完全切斷為所期望的形狀而使之個體化,且可使端面精度提高。
附圖說明
圖1(a)-圖1(e)是表示本發明的第1實施方式的積層陶瓷基板的切斷處理的圖。
圖2(a)-圖2(e)是表示本發明的第2實施方式的積層陶瓷基板的切斷處理的圖。
圖3(a)-圖3(e)是表示本發明的第3實施方式的積層陶瓷基板的切斷處理的圖。
圖4(a)-圖4(e)是表示本發明的第4實施方式的積層陶瓷基板的切斷處理的圖。
具體實施方式
下面,對本發明的第1實施方式進行說明。圖1(a)是表示積層有玻璃層11與陶瓷層12的,作為本實施方式的切斷對象的積層陶瓷基板(以下,簡稱積層基板)10的圖。玻璃層11的板厚為100μm以上,例如設為100~500μm。陶瓷層12的板厚為100μm以上,例如設為100~500μm。此處,關于陶瓷層12,也可為LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic,低溫共燒陶瓷)層、氧化鋁(HTCC,High Temperature Co-fired Ceramic(高溫共燒陶瓷))、氮化鋁、鈦酸鋇、肥粒鐵、氮化硅等陶瓷、即所謂的細陶瓷。
而且,在以特定的圖案切斷該積層基板10的情形時,首先如圖1(b)所示股自玻璃層11沿預定切斷的線,通過未圖示的劃線裝置按壓劃線輪13并使之轉動而形成第1劃線S1。用于該劃線的劃線輪13,也可為普通的劃線輪(在形成劃線(劃線)時的加工部位(刃尖)的最外周邊部的棱線上未形成缺口或槽的普通的劃線輪),但也可為在刃尖形成有缺口或槽的劃線輪(日本專利文獻3074143號、日本專利文獻5022602號、日本專利文獻5078354號、日本專利文獻5055119號等)。一股而言,通過使用在刃尖形成有缺口或槽的劃線輪,劃線時的刃尖的切入性佳,此外,雖也取決于缺口或槽的形成間隔,但就缺口或槽的各者的最外周邊方向的長度長于被缺口或槽遮斷的棱線(突起)的各者的最外周邊方向的長度的劃線輪(P型刃尖),尤其是缺口或槽的深度超過5μm,尤其是超過10μm的P型刃尖而言,可形成高滲透的劃線。另一方面,就缺口或槽的各者的最外周邊方向的長度短于被缺口或槽遮斷的棱線(突起)的各者的最外周邊方向的長度的劃線輪(A型刃尖),尤其是缺口或槽的深度為5μm以下,尤其是3μm以下的A型刃尖而言,雖有難以實現高滲透的傾向,但有切斷后的基板端面的狀態不易發生不良的傾向。此處,優選使用在刃尖形成有槽(缺口)的刀輪,雖也取決于基板的厚度,但在基板的厚度較薄的情形時(例如為500μm以下的情形時)優選A型刃尖,在基板的厚度較厚的情形時(例如超過500μm的情形時)優選P型刃尖。例如在日本專利文獻3074143號中提出一種劃線輪,其在圓周面上隔開特定間隔而形成有多個槽,且使該等槽之間為突起而實現高滲透。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星鉆石工業股份有限公司,未經三星鉆石工業股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410158713.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種生態麂皮面料及其制造工藝
- 下一篇:多組分易護理面料的制備工藝
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





