[發明專利]積層陶瓷基板的切斷方法有效
| 申請號: | 201410158713.0 | 申請日: | 2014-04-18 |
| 公開(公告)號: | CN104339461B | 公開(公告)日: | 2017-09-29 |
| 發明(設計)人: | 武田真和;田村健太 | 申請(專利權)人: | 三星鉆石工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;B28D5/04;B28D7/00;B28D7/04;C03B33/02 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287 | 代理人: | 沈錦華 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陶瓷 切斷 方法 | ||
1.一種積層陶瓷基板的切斷方法,所述積層陶瓷基板積層有具有100μm以上的膜厚的玻璃層、及具有100μm以上的膜厚的至少1層陶瓷層;且
在所述積層陶瓷基板的一表面沿預定切斷線形成第1劃線,
在所述積層陶瓷基板的另一表面沿預定切斷線形成第2劃線,
沿所述第1或第2劃線壓抵切斷桿而進行切斷,由此沿劃線將積層陶瓷基板切斷。
2.根據權利要求1所述的積層陶瓷基板的切斷方法,其中所述積層陶瓷基板為在玻璃層的兩表面積層有第1、第2陶瓷層。
3.根據權利要求1所述的積層陶瓷基板的切斷方法,其中所述玻璃層及陶瓷層為具有100μm~500μm的膜厚。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





