[發(fā)明專利]晶片封裝體及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410158301.7
• 申請(qǐng)日: 2014-04-18
• 公開（公告）號(hào): CN104112717B
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林佳升;何彥仕;劉滄宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L23/492;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種晶片封裝體，其特征在于，包括：

一半導(dǎo)體晶片，具有一上表面及下表面，該半導(dǎo)體晶片還具有與該半導(dǎo)體晶片的側(cè)壁接觸的至少一第一導(dǎo)電墊、以及對(duì)應(yīng)于該至少一第一導(dǎo)電墊而設(shè)置的至少一第一凹部，該第一凹部自該上表面朝該下表面延伸，以暴露出該第一導(dǎo)電墊；

一絕緣層，自該半導(dǎo)體晶片的該上表面朝該下表面延伸，部分的該絕緣層位于該第一凹部之中，其中該絕緣層具有至少一開口以暴露出該第一導(dǎo)電墊；

一重布局金屬層，設(shè)置于該絕緣層上且具有對(duì)應(yīng)該至少一第一導(dǎo)電墊的至少一重布局金屬線路，該重布局金屬線路通過該開口與該第一導(dǎo)電墊連接；以及

至少一焊接墊，配置于該絕緣層上且位于該半導(dǎo)體晶片的一側(cè)，

其中，該至少一重布局金屬線路延伸至該至少一焊接墊，使與該半導(dǎo)體晶片的側(cè)壁接觸的該第一導(dǎo)電墊電性連接于該側(cè)的該焊接墊。

2.如權(quán)利要求1的晶片封裝體，其特征在于，該第一導(dǎo)電墊配置于該半導(dǎo)體晶片的其他側(cè)，而不配置于該焊接墊所配置的該側(cè)。

3.如權(quán)利要求2的晶片封裝體，其特征在于，進(jìn)一步包括：

至少一第一焊接線，對(duì)應(yīng)連接于該至少一焊接墊；以及

一印刷電路板，該第一焊接線由該焊接墊延伸至該印刷電路板而與該印刷電路板電性連接。

4.如權(quán)利要求2的晶片封裝體，其特征在于，進(jìn)一步包括：

至少一第三焊接線對(duì)應(yīng)電性連接于該第一導(dǎo)電墊；

一微機(jī)電結(jié)構(gòu)配置于該半導(dǎo)體晶片的該下表面的下方；以及

一印刷電路板，其中該第三焊接線由該第一導(dǎo)電墊延伸至該印刷電路板而與該印刷電路板電性連接。

5.如權(quán)利要求2的晶片封裝體，其特征在于，進(jìn)一步包括：

至少一第三焊接線對(duì)應(yīng)電性連接于該第一導(dǎo)電墊；

至少一焊球?qū)?yīng)電性連接于該焊接墊；

一晶片通過該焊球電性連接于該焊接墊；以及

一印刷電路板，其中該第三焊接線由該第一導(dǎo)電墊延伸至該印刷電路板而與該印刷電路板電性連接。

6.如權(quán)利要求1的晶片封裝體，其特征在于，該半導(dǎo)體晶片進(jìn)一步包括：

至少一第二導(dǎo)電墊于該下表面并配置于該半導(dǎo)體晶片的該側(cè)；以及

至少一第二凹部對(duì)應(yīng)該至少一第二導(dǎo)電墊設(shè)置，該第二凹部自該上表面朝該下表面延伸并暴露出該第二導(dǎo)電墊，且該絕緣層還具有暴露出該第二導(dǎo)電墊的至少一開口，

其中，該第二凹部的一側(cè)壁與該下表面之間夾有一角度，該角度為55～65度。

7.如權(quán)利要求6的晶片封裝體，其特征在于，進(jìn)一步包括：

至少一第一焊接線，對(duì)應(yīng)連接于該至少一焊接墊；

至少一第二焊接線，對(duì)應(yīng)連接于該至少一第二導(dǎo)電墊；以及

一印刷電路板，該第一焊接線、第二焊接線分別由該焊接墊、該第二導(dǎo)電墊延伸至該印刷電路板而與該印刷電路板電性連接。

8.如權(quán)利要求7的晶片封裝體，其特征在于，該第二焊接線與該第二導(dǎo)電墊的連接處和該第二凹部的該側(cè)壁之間的最近距離為50微米。

9.如權(quán)利要求1的晶片封裝體，其特征在于，進(jìn)一步包括：

至少一間隔結(jié)構(gòu)設(shè)置于該半導(dǎo)體晶片的下表面；以及

一保護(hù)蓋，其中，該保護(hù)蓋通過該間隔結(jié)構(gòu)設(shè)置于該半導(dǎo)體晶片的下方。

10.一種晶片封裝體的制造方法，其特征在于，包括：

形成一半導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體晶片具有一上表面及下表面，該半導(dǎo)體晶片還具有與該半導(dǎo)體晶片的側(cè)壁接觸的至少一第一導(dǎo)電墊以及至少一第一凹部自該上表面朝該下表面延伸，以暴露出該第一導(dǎo)電墊；

形成一絕緣層自該半導(dǎo)體晶片的該上表面朝該下表面延伸，部分的該絕緣層位于該第一凹部之中，其中該絕緣層具有至少一開口以暴露出該第一導(dǎo)電墊；

形成至少一重布局金屬線路于該絕緣層上，該重布局金屬線路通過該開口與該第一導(dǎo)電墊連接；以及

形成至少一焊接墊，配置于該絕緣層上且配置于該半導(dǎo)體晶片的一側(cè)，

其中，該至少一重布局金屬線路延伸至該至少一焊接墊，使與該半導(dǎo)體晶片的側(cè)壁接觸的該第一導(dǎo)電墊電性連接于該側(cè)的該焊接墊。

11.如權(quán)利要求10的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該第一導(dǎo)電墊形成于該半導(dǎo)體晶片的其他側(cè)，而不形于該焊接墊所形成的該側(cè)。