[發明專利]一種低成本的圓片級CSP封裝方法及其封裝結構

在審

• 申請號: 201410156555.5
• 申請日: 2014-04-18
• 公開（公告）號: CN103928417A
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發明（設計）人: 張黎;陳錦輝;賴志明;胡正勛
• 申請（專利權）人: 江陰長電先進封裝有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60;H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 彭英

1.一種低成本的圓片級CSP封裝方法，其工藝過程如下：

提供帶有芯片電極陣列的圓片；

在芯片電極陣列的表面形成金屬凸點；

沿圓片的劃片道開設深至圓片且不切透圓片的寬溝槽；

在上述圓片上印刷絕緣層，并固化成形；

削減絕緣層和金屬凸點，形成金屬凸點切面；

在金屬凸點切面的表面形成金屬保護層；

再次沿圓片的劃片道分割圓片，形成寬度小于寬溝槽的分割道，再裂片形成單顆的低成本的圓片級CSP封裝結構。

2.根據權利要求1所述的圓片級CSP封裝方法，其特征在于：所述寬溝槽（120）的深度小于圓片（100）的厚度。

3.根據權利要求1所述的圓片級CSP封裝方法，其特征在于：所述金屬凸點（300）的高度為H3，H3≥17μm。

4.根據權利要求3所述的圓片級CSP封裝方法，其特征在于：所述金屬凸點（300）的被削減高度為h3，h3≥2μm。

5.一種低成本的圓片級CSP封裝結構，包括帶有若干個芯片電極（110）的硅基本體（101），

其特征在于：所述硅基本體（101）的側壁呈臺階狀，所述芯片電極（110）位于臺階狀的硅基本體（101）的頂部；

所述芯片電極（110）的表面設置平頭金屬凸點（310），所述平頭金屬凸點（310）的上端面覆蓋金屬保護層（410）；

還包括絕緣層（201），所述絕緣層（201）設置于芯片電極（110）一側的所述硅基本體（101）的表面以及所述硅基本體（101）的側壁，所述絕緣層（201）的上表面與平頭金屬凸點（310）的上端面齊平。

6.根據權利要求5所述的圓片級CSP封裝結構，其特征在于：所述平頭金屬凸點（310）的高度h1，15μm≤h1≤25μm。

7.根據權利要求5所述的圓片級CSP封裝結構，其特征在于：所述硅基本體（101）的臺階狀側壁至少有一階臺階。

8.根據權利要求7所述的圓片級CSP封裝結構，其特征在于：所述臺階的總深度h2≥30μm。

9.根據權利要求8所述的圓片級CSP封裝結構，其特征在于：所述臺階的總深度h2為100～150μm。

10.根據權利要求5至9中任一種所述的圓片級CSP封裝結構，其特征在于：位于所述芯片電極（110）另一側的所述硅基本體（101）的表面設置背面保護層（421）。