[發明專利]一種限域生長納米級配位聚合物的方法無效
| 申請號: | 201410156221.8 | 申請日: | 2014-04-17 |
| 公開(公告)號: | CN103922290A | 公開(公告)日: | 2014-07-16 |
| 發明(設計)人: | 王習東;陳燕;馮英杰;鄒如強 | 申請(專利權)人: | 北京大學 |
| 主分類號: | C01B13/14 | 分類號: | C01B13/14 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 王文君 |
| 地址: | 100871*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 生長 納米 配位聚合 方法 | ||
1.一種限域生長納米級配位聚合物的方法,是以金屬氧化物納米管為模板,限域生長納米級配位聚合物,其特征在于,把金屬可溶鹽與有機配體溶解到有機溶劑中,同時將已生長有金屬氧化物納米管的基底放入該混合溶液中,實現納米管內限域生長納米級配位聚合物。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述金屬可溶鹽為銅、亞銅、鉻、錳、鐵、亞鐵、鈷、鎳、鈦、鉬、錫、亞錫、硒、鈣、鑭離子中的一種或多種的可溶鹽,所述可溶鹽為硝酸鹽、硫酸鹽或鹽酸鹽;
所述有機配體為甲酸、草酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、均苯二甲酸、1,3,5-苯三甲酸中的一種或多種。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述有機溶劑為甲醇、乙醇、乙二醇、異丙醇、丙三醇、二氯亞砜、二甲基甲酰胺DMF中的一種。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述作為模板的金屬氧化物納米管為氧化鋅納米管;或者是以氧化鋅納米管為模板制備的氧化鈷、氧化錳、氧化鈰納米管中的一種或多種。
5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述生長有金屬氧化物納米管的基底為ITO導電玻璃、FTO導電玻璃、堇青石蜂窩陶瓷、銅片中的一種。
6.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,包括步驟;
1)將基底放在含有濃度為0.02-0.2mol/L的硝酸鋅的溶液中,并加入等摩爾的六亞甲基四胺,在80-120℃下反應24-60小時,得到生長有氧化鋅納米管的基底;
2)把金屬可溶鹽和有機配體溶解到有機溶劑中制成混合溶液,將已生長有金屬氧化物納米管的基底放入該混合溶液中,實現納米管內限域生長納米級配位聚合物;
所述金屬可溶鹽在混合溶液中的摩爾濃度為0.01-0.05mol/L;所述有機配體在混合溶液中的摩爾濃度為0.01-0.05mol/L。
7.根據權利要求6所述的方法,其特征在于,所述步驟1)為:將基底放在含有濃度為0.02-0.2mol/L的硝酸鋅的溶液中,并加入等摩爾的六亞甲基四胺,在80-120℃下反應2-6小時,得到生長有氧化鋅納米棒的基底;
將生長有氧化鋅納米棒的基底放入鈷、錳、鈰金屬離子中的一種硝酸溶液中,在80-120℃下反應2-4小時得到金屬氧化物納米管,作為限域生長納米級配位聚合物的模板。
8.根據權利要求6或7所述的方法,其特征在于,所述混合溶液中含有體積為有機溶劑0.5-2倍的去離子水。
9.根據權利要求6或7所述的方法,其特征在于,所述步驟2)為超聲合成,合成反應的時間為5-50min。
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