[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201410155975.1
• 申請日: 2014-04-17
• 公開（公告）號: CN104111132B
• 公開（公告）日: 2018-11-20
• 發明（設計）人: 秋山豐;中柴康隆
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: G01L1/20
• 分類號: G01L1/20
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

本發明的目的在于抑制當環境溫度改變時可以引起的由壓力傳感器檢測到的數值的誤差。半導體襯底具有第一導電類型。半導體層形成在半導體襯底的第一表面之上。每個電阻部件都具有第二導電類型，并且形成在半導體層中。電阻部件相互間隔開。隔離區域是形成在半導體層中的第一導電類型的區域，并且將電阻部件相互電隔離開。凹陷部分形成在半導體襯底的第二表面中，并且當平面地觀察時凹陷部分與電阻部件重疊。半導體層是外延層。

相關申請的交叉引用

包括說明書、附圖和摘要的于2013年4月18日提交的第

2013-087796號日本專利申請的公開內容通過整體引用并入本文。

技術領域

本發明涉及一種半導體器件及其制造方法，并且提供了一種技術，該技術例如可以應用于具有壓力傳感器的半導體器件。

背景技術

檢測壓力的壓力傳感器的示例包括例如第2008-190970號日本待審專利公開中所描述的半導體器件。該半導體器件具有在硅襯底的第一表面之上的應變計。這一應變計通過向硅襯底的第一表面中擴散雜質或者注入離子而形成。在硅襯底的第二表面中形成凹陷部分。硅襯底的其中形成了應變計的部分的厚度小，這是因為形成了該凹陷部分。在這種結構中，當外部壓力變化時，在應變計中產生了應變，由此允許應變計的電阻改變。上述壓力傳感器基于應變計的電阻的改變來檢測壓力。

發明內容

近年來，具有壓力傳感器的半導體器件已經用于各種環境。另一方面，通過將雜質引入半導體層中而形成的導電層的電阻的變化率是依賴于溫度的。當其變化率如此依賴于溫度時，由壓力傳感器檢測到的數值隨環境溫度一起改變，由此引起數值誤差。本發明人已經進行了研究，以使得誤差變小。由本發明的說明書和附圖，其它問題和新的特征將變得明確。

根據一個實施例，半導體層形成在半導體襯底的第一表面之上。在半導體層中提供相互間隔開的多個電阻部件。在半導體襯底的第二表面中提供凹陷部分。當平面地觀察時，凹陷部分與電阻部件重疊。半導體層是外延層。

根據實施例，可以抑制當環境溫度改變時可以引起的由壓力傳感器檢測到的數值的誤差。

附圖說明

圖1是圖示了根據第一實施例的半導體器件的配置的剖視圖；

圖2是圖示了多個電阻部件的平面布局的示例的視圖；

圖3是圖示了具有電阻部件的壓力傳感器的等效電路的視圖；

圖4A和圖4B是圖示了制造半導體器件的方法的示例的剖視圖；

圖5A和圖5B是圖示了制造半導體器件的方法的示例的剖視圖；

圖6是圖示了制造半導體器件的方法的示例的剖視圖；

圖7是圖示了電阻部件的電阻的溫度依賴性的圖表；

圖8是圖示了根據第二實施例的半導體器件的配置的剖視圖；

以及

圖9是圖示了根據第三實施例的半導體器件的配置的剖視圖。

具體實施方式

下文中，將使用附圖描述一些實施例。每個附圖中圖示的相同或相似部件由相似附圖標記標注，并且將適當地省略重復性描述。（第一實施例）