[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201410155975.1
• 申請日: 2014-04-17
• 公開（公告）號: CN104111132B
• 公開（公告）日: 2018-11-20
• 發明（設計）人: 秋山豐;中柴康隆
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: G01L1/20
• 分類號: G01L1/20
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種半導體器件，包括：

第一導電類型的半導體襯底；

形成在所述半導體襯底的第一表面之上的半導體層；

第二導電類型的多個電阻部件，其形成在所述半導體層中并且相互間隔開；

所述第一導電類型的隔離區域，其形成在所述半導體層中并且將所述多個電阻部件相互隔離；以及

凹陷部分，其形成在所述半導體襯底的第二表面中，并且當平面地觀察時其與所述隔離區域和所述多個電阻部件重疊，

其中，所述半導體層是所述第二導電類型的外延層。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述隔離區域包括與所述多個電阻部件相同的第二導電類型的雜質，并且在所述隔離區域的厚度方向上的所述第二導電類型的雜質的濃度分布與在每個所述電阻部件的厚度方向上的所述第二導電類型的雜質的濃度分布幾乎相同。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，每個所述電阻部件的所述第二導電類型的雜質的濃度大于或等于5×10¹⁸/cm³并且小于或等于5×10¹⁹/cm³。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述半導體層的厚度大于或等于0.05μm并且小于或等于0.2μm。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，包括：

所述第一導電類型的高濃度層，其位于所述半導體襯底的所述第一表面的頂層之上并且具有比所述半導體襯底的濃度更高的濃度，

其中，所述半導體層位于所述第一導電類型的所述高濃度層之上。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，通過利用被引入所述半導體層中的所述第一導電類型的雜質來形成所述隔離區域，而形成所述多個電阻部件和所述隔離區域。

7.一種半導體器件，包括：

第一導電類型的半導體襯底；

形成在所述半導體襯底的第一表面之上的第二導電類型的半導體層；

所述第二導電類型的多個電阻部件，其形成在所述半導體層中并且相互間隔開；

所述第一導電類型的隔離區域，其形成在所述半導體層中并且將所述多個電阻部件相互隔離；以及

凹陷部分，其形成在所述半導體襯底的第二表面中，并且當平面地觀察時其與所述隔離區域和所述多個電阻部件重疊，

其中，在每個所述電阻部件的位于所述半導體層中的部分中，在所述部分的厚度方向上的雜質濃度分布的最大值和最小值之間的差值是所述最小值的20％或更小。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，

其中，所述半導體層是外延層。

9.一種制造半導體器件的方法，包括下列步驟：

在第一導電類型的半導體襯底的第一表面之上形成第二導電類型的外延層；并且

通過將所述第一導電類型的雜質引入到所述外延層中，形成所述第一導電類型的隔離區域和所述第二導電類型的多個電阻部件，所述多個電阻部件由所述隔離區域相互隔離。

10.根據權利要求9所述的制造半導體器件的方法，

其中，在形成外延層的步驟中，所述外延層的所述第二導電類型的雜質的濃度設置為大于或等于5×10¹⁸/cm³并且小于或等于5×10¹⁹/cm³。

11.根據權利要求9所述的制造半導體器件的方法，

其中，所述外延層的厚度設置為大于或等于0.05μm并且小于或等于0.2μm。