[發明專利]一種像素結構、液晶面板及其工藝方法

在審

• 申請號: 201410155566.1
• 申請日: 2014-04-17
• 公開（公告）號: CN103995381A
• 公開（公告）日: 2014-08-20
• 發明（設計）人: 單文澤;李曉曄
• 申請（專利權）人: 上海天馬微電子有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1333
• 分類號: G02F1/1333;G02F1/1368
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及顯示領域，尤其涉及一種像素結構，包含該像素結構的液晶面板，以及制造該像素結構的工藝方法。

背景技術

目前的像素結構如圖1所示，在基板100上，設置有柵極101，在柵極上方設置有柵極絕緣層102，有源層103設置于柵極絕緣層102上方，且位于柵極101上方。在有源層103上方絕緣地設置源極104以及漏極105，源極104、漏極105上方依次形成有覆蓋整個基板的無機鈍化膜106和有機鈍化膜107。在有機鈍化膜107上形成公共電極108，公共電極108上方形成上部絕緣膜109，上部絕緣膜109上形成像素電極110。漏極105具有漏極延伸部105a，漏極延伸部105a通過貫穿上部絕緣膜109、有機鈍化膜107以及無機鈍化膜107的過孔111與像素電極110相連接。

這種結構中，由于漏極與像素電極用過孔連接，過孔上方液晶無法正常偏轉、取向混亂，導致漏光。作為對策，目前一般都在過孔上方采用黑矩陣（BM）遮擋，這會造成光透過率的降低。隨著近年來液晶屏像素（PPI）的增加，過孔尺寸對透過率的影響越來越明顯。

發明內容

本發明旨在提供一種像素結構，能夠減少像素結構中漏極與像素電極連接的過孔尺寸。

一種像素結構，包含：基板；薄膜晶體管，設置于所述基板上方，所述薄膜晶體管包含柵極、柵極絕緣層、有源層、源極、漏極；至少一個凸起，所述凸起采用薄膜晶體管任一層同種材料制成，所述凸起位于所述漏極下方；鈍化膜，覆蓋于所述薄膜晶體管上方；公共電極，設置于所述鈍化膜上方；上部絕緣膜，設置于所述公共電極上方；過孔，貫穿所述上部絕緣膜及所述鈍化膜；像素電極，設置于所述上部絕緣膜上方，所述像素電極通過所述過孔與所述薄膜晶體管的漏極電連接。

一種液晶面板，包含上述的像素結構。

一種制造像素結構的工藝方法，包含：提供一基板；在基板上方形成柵極，同時在所述柵極的一側形成有凸起結構；在所述柵極上方形成柵極絕緣層；柵極絕緣層上方對應柵極的位置形成有源層；在有源層上表面絕緣地設置源極和漏極，所述漏極覆蓋所述凸起；在源極和漏極層上方形成鈍化膜；在鈍化膜上方形成公共電極；在所述公共電極上方形成上部絕緣膜；形成貫穿所述上部絕緣膜和所述鈍化膜的過孔；在所述上部絕緣膜上方形成像素電極，所述像素電極通過所述過孔與漏極電連接。

一種制造像素結構的工藝方法，包含：提供一基板；在基板上方形成柵極；在所述柵極上方形成柵極絕緣層，同時在對應柵極一側的位置形成凸起結構；在柵極絕緣層上方對應柵極的位置形成有源層；，在有源層上表面絕緣地設置源極和漏極，所述漏極覆蓋所述凸起；在源極和漏極層上方形成鈍化膜；在鈍化膜上方形成公共電極；在所述公共電極上方形成上部絕緣膜；形成貫穿所述上部絕緣膜和所述鈍化膜的過孔；在所述上部絕緣膜上方形成像素電極，所述像素電極通過所述過孔與漏極電連接。

一種制造像素結構的工藝方法，包含：提供一基板；在基板上方形成柵極；在所述柵極上方形成柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上方對應柵極的位置形成有源層，同時在所述有源層的一側形成凸起結構；在所述有源層上表面分離地設置源極和漏極，所述漏極覆蓋所述凸起；在源極和漏極層上方形成鈍化膜；在鈍化膜上方形成公共電極；在所述公共電極上方形成上部絕緣膜；形成貫穿所述上部絕緣膜和所述鈍化膜的過孔；在所述上部絕緣膜上方形成像素電極，所述像素電極通過所述過孔與漏極電連接。

一種制造像素結構的工藝方法，包含：提供一基板；在基板上方形成柵極，同時在所述柵極的一側形成第一凸起結構；在所述柵極上方形成柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上方對應柵極的位置形成有源層，同時在有源層對應第一凸起的位置形成第二凸起結構；在所述有源層上表面分離地設置源極和漏極，所述漏極覆蓋所述第一凸起和第二凸起；在源極和漏極層上方形成鈍化膜；在鈍化膜上方形成公共電極；在所述公共電極上方形成上部絕緣膜；形成貫穿所述上部絕緣膜和所述鈍化膜的過孔；在所述上部絕緣膜上方形成像素電極，所述像素電極通過所述過孔與漏極電連接。

本發明具有如下一種或多種的技術效果：

1，能夠減小像素電極與薄膜晶體管（TFT）漏極相連的過孔尺寸，從而有效防止過孔上方液晶偏轉不正常造成的漏光等現象。

2，能夠減小過孔上方黑矩陣（BM）的尺寸，從而提高透光率。

3，能夠通過一步工藝同時形成TFT和凸起，無需額外工藝步驟，節省成本。

附圖說明

圖1為現有技術的像素結構示意圖；