[發(fā)明專利]一種像素結(jié)構、液晶面板及其工藝方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410155566.1
• 申請日: 2014-04-17
• 公開（公告）號: CN103995381A
• 公開（公告）日: 2014-08-20
• 發(fā)明（設計）人: 單文澤;李曉曄
• 申請（專利權）人: 上海天馬微電子有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1333
• 分類號: G02F1/1333;G02F1/1368
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種像素結(jié)構，其特征在于，包含：

基板；

薄膜晶體管，設置于所述基板上方，所述薄膜晶體管包含柵極、柵極絕緣層、有源層、源極、漏極；

至少一個凸起，所述凸起采用薄膜晶體管任一層同種材料制成，所述凸起位于所述漏極下方；

鈍化膜，覆蓋于所述薄膜晶體管上方；

公共電極，設置于所述鈍化膜上方；

上部絕緣膜，設置于所述公共電極上方；

過孔，貫穿所述上部絕緣膜及所述鈍化膜；

像素電極，設置于所述上部絕緣膜上方，所述像素電極通過所述過孔與所述薄膜晶體管的漏極電連接。

2.根據(jù)權利要求1所述的像素結(jié)構，其特征在于，所述凸起形成于所述柵極同層。

3.根據(jù)權利要求1所述的像素結(jié)構，其特征在于，所述凸起形成于所述柵極絕緣層同層。

4.根據(jù)權利要求1所述的像素結(jié)構，其特征在于，所述凸起形成于所述有源層同層。

5.根據(jù)權利要求1所述的像素結(jié)構，其特征在于，所述凸起包括第一凸起和形成于所述第一凸起上方的第二凸起，所述第一凸起和所述第二凸起分形成于薄膜晶體管的不同兩層。

6.根據(jù)權利要求5所述的像素結(jié)構，其特征在于，所述第一凸起形成于柵極同層，所述第二凸起形成于有源層同層。

7.根據(jù)權利要求5或6所述的像素結(jié)構，其特征在于，所述第一凸起的厚度與所述柵極相同，所述第二凸起的厚度與所述有源層相同。

8.根據(jù)權利要求1所述的像素結(jié)構，其特征在于，所述凸起的厚度大于或等于薄膜晶體管中與所述凸起材料相同的層的厚度。

9.根據(jù)權利要求1所述的像素結(jié)構，其特征在于，所述凸起位于對應于所述過孔的正下方。

10.根據(jù)權利要求1所述的像素結(jié)構，其特征在于，覆蓋在所述凸起上方的漏極寬度大于或等于與所述漏極接觸的像素電極寬度。

11.根據(jù)權利要求1所述的像素結(jié)構，其特征在于，所述凸起和/或所述漏極采用透明材料制成。

12.根據(jù)權利要求1所述的像素結(jié)構，其特征在于，所述鈍化膜包含有機鈍化膜和/或無機鈍化膜。

13.一種液晶面板，其特征在于，包含權利要求1-11所述的像素結(jié)構。

14.一種制造像素結(jié)構的工藝方法，其特征在于，包含：提供一基板；在基板上方形成柵極，同時在所述柵極的一側(cè)形成有凸起結(jié)構；在所述柵極上方形成柵極絕緣層；柵極絕緣層上方對應柵極的位置形成有源層；在有源層上表面絕緣地設置源極和漏極，所述漏極覆蓋所述凸起；在源極和漏極層上方形成鈍化膜；在鈍化膜上方形成公共電極；在所述公共電極上方形成上部絕緣膜；形成貫穿所述上部絕緣膜和所述鈍化膜的過孔；在所述上部絕緣膜上方形成像素電極，所述像素電極通過所述過孔與漏極電連接。

15.一種制造像素結(jié)構的工藝方法，其特征在于，包含：提供一基板；在基板上方形成柵極；在所述柵極上方形成柵極絕緣層，同時在對應柵極一側(cè)的位置形成凸起結(jié)構；在柵極絕緣層上方對應柵極的位置形成有源層；，在有源層上表面絕緣地設置源極和漏極，所述漏極覆蓋所述凸起；在源極和漏極層上方形成鈍化膜；在鈍化膜上方形成公共電極；在所述公共電極上方形成上部絕緣膜；形成貫穿所述上部絕緣膜和所述鈍化膜的過孔；在所述上部絕緣膜上方形成像素電極，所述像素電極通過所述過孔與漏極電連接。

16.一種制造像素結(jié)構的工藝方法，其特征在于，包含：提供一基板；在基板上方形成柵極；在所述柵極上方形成柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上方對應柵極的位置形成有源層，同時在所述有源層的一側(cè)形成凸起結(jié)構；在所述有源層上表面分離地設置源極和漏極，所述漏極覆蓋所述凸起；在源極和漏極層上方形成鈍化膜；在鈍化膜上方形成公共電極；在所述公共電極上方形成上部絕緣膜；形成貫穿所述上部絕緣膜和所述鈍化膜的過孔；在所述上部絕緣膜上方形成像素電極，所述像素電極通過所述過孔與漏極電連接。

17.一種制造像素結(jié)構的工藝方法，其特征在于，包含：提供一基板；在基板上方形成柵極，同時在所述柵極的一側(cè)形成第一凸起結(jié)構；在所述柵極上方形成柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上方對應柵極的位置形成有源層，同時在有源層對應第一凸起的位置形成第二凸起結(jié)構；在所述有源層上表面分離地設置源極和漏極，所述漏極覆蓋所述第一凸起和第二凸起；在源極和漏極層上方形成鈍化膜；在鈍化膜上方形成公共電極；在所述公共電極上方形成上部絕緣膜；形成貫穿所述上部絕緣膜和所述鈍化膜的過孔；在所述上部絕緣膜上方形成像素電極，所述像素電極通過所述過孔與漏極電連接。