[發(fā)明專利]小面積高線性度成形電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410153558.3 | 申請(qǐng)日： | 2014-04-17 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103916080B | 公開（公告）日： | 2017-01-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王佳;高德遠(yuǎn);魏廷存;高武;鄭然;魏曉敏;胡永才 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 西北工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H03B5/12 | 分類號(hào)： | H03B5/12 |
| 代理公司： | 西北工業(yè)大學(xué)專利中心61204 | 代理人： | 王鮮凱 |
| 地址： | 710072 *** | 國(guó)省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 面積 線性 成形 電路 | ||
1.一種小面積高線性度成形電路，包括電容C1、電容C2和運(yùn)算放大器A，其特征在于：還包括一個(gè)NMOS晶體管Mdif和n個(gè)NMOS晶體管M1～Mn。電容C1的一端接形成電路的輸入端Vin，電容C1的另一端接NMOS晶體管Mdif的漏極，NMOS晶體管Mdif的源極分別接運(yùn)算放大器A的輸入端、n個(gè)NMOS晶體管M1～Mn串聯(lián)后的漏極和電容C2的一端。運(yùn)算放大器A的輸出端、n個(gè)NMOS晶體管M1～Mn串聯(lián)后的源極和電容C2的另一端接形成電路的輸出端Vout。NMOS晶體管Mdif和NMOS晶體管M1～Mn的柵極均連接到成形電路的時(shí)間調(diào)節(jié)控制電壓Vadj上。電容C1和NMOS晶體管Mdif組成串聯(lián)RC網(wǎng)絡(luò)，電容C2和n個(gè)NMOS晶體管M1～Mn組成并聯(lián)RC網(wǎng)絡(luò)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小面積高線性度成形電路，其特征在于：所述NMOS晶體管Mdif和NMOS晶體管M1～Mn的溝道長(zhǎng)度和寬度相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小面積高線性度成形電路，其特征在于：所述NMOS晶體管M1～Mn中，NMOS晶體管Mj～Mn的溝道長(zhǎng)度減小，溝道寬度保持不變。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小面積高線性度成形電路，其特征在于：所述NMOS晶體管M1～Mn中，NMOS晶體管Mj～Mn的溝道長(zhǎng)度，溝道寬度保持不變，其柵極接固定電位。
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