[發(fā)明專利]一種厚膜基板與功率外殼的真空焊接方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410151591.2 | 申請日: | 2014-04-15 |
| 公開(公告)號: | CN103934534A | 公開(公告)日: | 2014-07-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王寧寧;飛景明;任憑;楊猛;何宗鵬;陳雅容;張彬彬 | 申請(專利權(quán))人: | 北京衛(wèi)星制造廠 |
| 主分類號: | B23K1/008 | 分類號: | B23K1/008;B23K1/20 |
| 代理公司: | 中國航天科技專利中心 11009 | 代理人: | 張麗娜 |
| 地址: | 100190*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 厚膜基板 功率 外殼 真空 焊接 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種厚膜基板與功率外殼的真空焊接方法,利用原材料表面1:1搪錫,實(shí)現(xiàn)空洞率小于5%的高釬焊率,屬于電子裝聯(lián)技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
隨著宇航功率電子產(chǎn)品不斷朝著小型化、輕量化發(fā)展,傳統(tǒng)的大功率模塊電源正在朝著厚膜模塊轉(zhuǎn)型。厚膜模塊是將傳統(tǒng)大功率模塊電源中的功率元器件(如功率MOS管)用裸芯片的方式替代,從而達(dá)到減小體積和重量的目的,而裸芯片對散熱的要求很高,因此需要將其安裝在厚膜陶瓷基板和功率外殼上,以形成良好的散熱通道。
大功率電源產(chǎn)品功率密度高,傳輸電流大,要求實(shí)現(xiàn)功率芯片與基板之間,基板與功率外殼之間的無缺陷焊接,才能夠保證大電流的低電阻傳輸,同時(shí)為功率芯片的熱傳導(dǎo)提供良好的散熱通道。而厚膜基板與功率外殼焊接界面的空洞率一直是人民關(guān)注的焦點(diǎn),空洞率過高將增加熱阻和縮小接頭承載面積,從而降低導(dǎo)熱性能和接頭強(qiáng)度。
隨著宇航產(chǎn)品對輕量化的要求,傳統(tǒng)的10#鋼功率外殼在重量方面往往不能滿足要求,采用新型的輕質(zhì)功率外殼成為發(fā)展方向。同時(shí)傳統(tǒng)的10#鋼與功率外殼焊接采用再流焊的工藝進(jìn)行,其界面空洞率較大。從而對厚膜基板與輕質(zhì)功率外殼的焊接工藝提出了新的挑戰(zhàn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了,克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提出一種厚膜基板與功率外殼的真空焊接方法。
本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的。
本發(fā)明的一種厚膜基板與功率外殼的真空焊接方法,步驟為:
(1)制作輕質(zhì)SiC-Al復(fù)合材料功率外殼,采用玻璃絕緣子實(shí)現(xiàn)引腳與外殼基體的絕緣。
(2)制作大小相同的兩塊焊片。
(3)采用步驟(2)中的兩片焊片分別對厚膜基板和步驟(1)中得到的功率外殼進(jìn)行搪錫處理,搪錫時(shí)將厚膜基板和功率外殼分別放置在加熱臺(tái)進(jìn)行預(yù)熱;待搪錫后冷卻到室溫,并在無水乙醇溶液中清洗干凈;
(4)將功率外殼放置在一塊導(dǎo)熱塊上,然后將厚膜基板放置在功率外殼的上面,再在厚膜基板上放置一塊壓塊,得到的產(chǎn)品命名為工件;
(5)將步驟(4)得到的工件放置在真空爐中的加熱平臺(tái)上,開始抽真空并加熱,進(jìn)行真空焊接。
所述步驟(1)中SiC體積分?jǐn)?shù)為60%,以保證厚膜基板與功率外殼焊接后不會(huì)發(fā)生變形。
所述步驟(2)中每片焊片尺寸應(yīng)為厚膜基板外形尺寸的一半,可保證厚膜基板的搪錫量與功率外殼的搪錫量一致同時(shí)保證焊縫厚度為焊片厚度。
所述步驟(3)中搪錫預(yù)熱溫度為140-160℃,溫度過低則預(yù)熱效果不明顯,搪錫流動(dòng)性差,溫度過高則對鍍層質(zhì)量造成影響;同時(shí)焊片搪錫應(yīng)布滿整個(gè)焊接面,保證后續(xù)焊接均勻。
所述步驟(4)中導(dǎo)熱塊與功率外殼的接觸面積盡量大,保證傳熱的均勻性。
所述步驟(4)中壓塊施加的壓力范圍1~10N。
有益效果
本發(fā)明采用SiC-Al復(fù)合材料功率外殼替代10#鋼外殼,降低產(chǎn)品重量;采用真空焊接代替再流焊接,采用焊片搪錫替代焊膏,有助于去除由于焊劑排出不及時(shí)造成的氣泡殘留,降低了界面空洞率,并且真空焊接后不需要再進(jìn)行清洗焊劑;真空焊接時(shí),厚膜基板和功率外殼之間不再加焊片,可以有效去除焊片表面氧化帶來的焊接空洞,通過對厚膜基板和功率外殼進(jìn)行搪錫可以去除二者表面的氧化膜,得到潔凈的被焊表面,提高潤濕性能,焊接過程中排氣通道更加順暢。將厚膜基板與輕質(zhì)功率外殼的焊接界面氣泡率由采用再流焊接工藝焊后的30%降低為小于5%,即顯著提高釬焊率,以滿足大功率電源產(chǎn)品的高可靠要求。
本發(fā)明通過采用選用密度低的輕質(zhì)Al-SiC復(fù)合材料替代傳統(tǒng)的10#鋼材料作為功率外殼減輕產(chǎn)品重量;通過采用焊片搪錫的方式替代傳統(tǒng)焊膏作為焊料。傳統(tǒng)的焊膏中含有助焊劑,助焊劑可有效去除焊料和焊盤表面的氧化層,提高焊接可靠性,但同時(shí)易產(chǎn)生焊劑殘留,造成脫粘。同時(shí)使用焊膏進(jìn)行再流焊,氣泡逸出往往不完成,焊縫凝固時(shí)形成氣孔。脫粘和氣孔殘留共同構(gòu)成焊接面的空洞。采用真空焊接方法不需要再加入焊劑,同時(shí)在真空下更有利于氣泡逸出,空洞率降低。
本發(fā)明采用焊片預(yù)先搪錫在被焊接材料表面的真空焊接方法,取代傳統(tǒng)的在被焊材料中間預(yù)置焊片的方法,可以有效去除焊片表面的氧化膜,不需要再額外對焊片進(jìn)行等離子清洗,并且可能引入空洞的界面由兩個(gè)面減少為一個(gè)面,將進(jìn)一步降低空洞率,并且不再依賴等離子清洗。
附圖說明
圖1為采用本發(fā)明的方法焊接界面的X光照片;
圖2為采用焊膏再流焊接方法的焊接界面的X光照片。
具體實(shí)施方式
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京衛(wèi)星制造廠,未經(jīng)北京衛(wèi)星制造廠許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410151591.2/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





