[發明專利]一種厚膜基板與功率外殼的真空焊接方法有效
| 申請號： | 201410151591.2 | 申請日： | 2014-04-15 |
| 公開（公告）號： | CN103934534A | 公開（公告）日： | 2014-07-23 |
| 發明（設計）人： | 王寧寧;飛景明;任憑;楊猛;何宗鵬;陳雅容;張彬彬 | 申請（專利權）人： | 北京衛星制造廠 |
| 主分類號： | B23K1/008 | 分類號： | B23K1/008;B23K1/20 |
| 代理公司： | 中國航天科技專利中心 11009 | 代理人： | 張麗娜 |
| 地址： | 100190*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 厚膜基板 功率 外殼 真空 焊接 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種厚膜基板與功率外殼的真空焊接方法，其特征在于步驟為：
（1）制作輕質SiC-Al復合材料功率外殼，采用玻璃絕緣子實現引腳與外殼基體的絕緣；
（2）制作大小相同的兩塊焊片；
（3）采用步驟（2）中的兩片焊片分別對厚膜基板和步驟（1）中得到的功率外殼進行搪錫處理，搪錫時將厚膜基板和功率外殼分別放置在加熱臺進行預熱；待搪錫后冷卻到室溫，并在無水乙醇溶液中清洗干凈；
（4）將功率外殼放置在一塊導熱塊上，然后將厚膜基板放置在功率外殼的上面，再在厚膜基板上放置一塊壓塊；
（5）將步驟（4）得到的工件放置在真空爐中的加熱平臺上，開始抽真空并加熱，進行真空焊接。
2.根據權利要求1所述的一種厚膜基板與功率外殼的真空焊接方法，其特征在于：步驟（1）中SiC體積分數為60%。
3.根據權利要求1所述的一種厚膜基板與功率外殼的真空焊接方法，其特征在于：步驟（2）中每片焊片尺寸為厚膜基板外形尺寸的一半。
4.根據權利要求1所述的一種厚膜基板與功率外殼的真空焊接方法，其特征在于：步驟（3）中搪錫預熱溫度為140-160℃。
5.根據權利要求1所述的一種厚膜基板與功率外殼的真空焊接方法，其特征在于：步驟（4）中壓塊施加的壓力范圍1～10N。
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