[發明專利]基板吸附結構、制作軟性電子組件的設備及方法

有效

• 申請號: 201410151411.0
• 申請日: 2014-04-16
• 公開（公告）號: CN105023872B
• 公開（公告）日: 2017-12-26
• 發明（設計）人: 陳國峰;張志嘉;莊孟穎;林偉義;貢振邦;傅傳旭
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/67
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006
• 代理人: 徐金國

1.一種基板吸附結構，其特征在于，包括：

一駐極體載具，其中該駐極體載具內具有至少10^-7庫侖/cm²的靜電荷以吸附一軟性基板的一底面；以及

一第一保護材料層，設置于該駐極體載具上，且覆蓋該軟性基板的一頂面的一部分及一側壁，且其中該基板吸附結構用于制作軟性電子組件。

2.根據權利要求1所述的基板吸附結構，其特征在于，該第一保護材料層完全覆蓋該軟性基板的該頂面，且從該軟性基板的該頂面延伸覆蓋該軟性基板的該側壁。

3.根據權利要求1所述的基板吸附結構，其特征在于，還包括：

一累電駐極體層，設置于該駐極體載具上，其中該累電駐極體層的至少一表面與該軟性基板接觸。

4.根據權利要求3所述的基板吸附結構，其特征在于，該累電駐極體層包括彼此隔開的多個累電駐極體圖案，分別與該軟性基板的部分該底面及部分該駐極體載具接觸。

5.根據權利要求3所述的基板吸附結構，其特征在于，該累電駐極體層設置于該軟性基板的一頂面上。

6.根據權利要求3所述的基板吸附結構，其特征在于，該累電駐極體層包括硅基材料、氧化鋁、氧化鋅、氧化鋇、氧化鉭、鈦酸鋇、鋯鈦酸鉛或上述組合的無機材料，其中該硅基材料包括氧化硅、氮化硅、碳化硅、硅晶絕緣體、硅化鎂、硼化硅、非晶硅鋁、鉍硅氧化物、多晶硅鹵化物或多晶硅氫化物。

7.根據權利要求3所述的基板吸附結構，其特征在于，該累電駐極體層為包括鐵氟龍、聚四氟乙烯、氟化乙丙烯、聚氯乙烯、聚偏氟乙烯、三氟乙烯共聚物、聚甲基丙烯酸甲酯、六氟丙烯、聚丙烯或上述組合的有機材料。

8.根據權利要求1所述的基板吸附結構，其特征在于，還包括：

多個導線，內嵌于該駐極體載具中且彼此隔開，且接近該駐極體載具和該軟性基板之間的一界面。

9.根據權利要求8所述的基板吸附結構，其特征在于，所述導線的其中一個耦接至一正電壓、一負電壓或一接地電壓的其中一種，且所述導線的該其中一個是設置接近于該軟性基板的一邊緣。

10.根據權利要求9所述的基板吸附結構，其特征在于，剩余的所述導線的一部分耦接至一正電壓、一負電壓或一接地電壓的其中另一種，且剩余的所述導線的剩余部分耦接至一正電壓、一負電壓或一接地電壓的剩余一種，且其中剩余的所述導線的該部分與剩余的所述導線的該剩余部分是彼此交錯設置，且位于所述導線的該其中一個所包圍的一區域內。

11.根據權利要求1所述的基板吸附結構，其特征在于，還包括：

一液體導流層，設置于該第一保護材料層和該駐極體載具之間的一界面上。

12.根據權利要求11所述的基板吸附結構，其特征在于，該液體導流層包括一疏水性薄膜，其中該疏水性薄膜包括含氟系列的聚合物或硅氧烷系列的化合物、含一個或多個氟化基團的硅烷化合物或上述組合。

13.根據權利要求12所述的基板吸附結構，其特征在于，該疏水性薄膜包括硅氧烷/聚胺基甲酸酯薄膜，聚二甲基硅氧烷、含全氟烷基、全氟醚或全氟聚醚基團的硅烷化合物。

14.一種基板吸附結構，其特征在于，包括：

一駐極體載具，其中該駐極體載具內具有至少10^-7庫侖/cm²的靜電荷以吸附一軟性基板的一底面；以及

一累電駐極體層，設置于該駐極體載具上，其中該累電駐極體層的至少一表面與該軟性基板接觸，且其中該基板吸附結構用于制作軟性電子組件。

15.根據權利要求14所述的基板吸附結構，其特征在于，該累電駐極體層完全覆蓋該軟性基板的一頂面和該軟性基板的一側壁。