[發明專利]一種MOCVD納米鎳涂層及其制備裝置

無效

• 申請號: 201410151231.2
• 申請日: 2014-04-15
• 公開（公告）號: CN103952679A
• 公開（公告）日: 2014-07-30
• 發明（設計）人: 陳照峰;聶麗麗
• 申請（專利權）人: 太倉派歐技術咨詢服務有限公司
• 主分類號: C23C16/16
• 分類號: C23C16/16;C23C16/448
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1.一種MOCVD納米鎳涂層及其制備裝置，其特征在于該裝置集羰基鎳的制備、裂解和處理于一體，以鎳粉和CO反應生成的Ni(CO)₄為前驅體，制備的鎳涂層有等軸晶。

2.根據權利要求1所述的鎳涂層，其特征在于以鎳粉與CO在40～90℃下反應生成Ni(CO)₄，在120～190℃、100Pa的真空壓力下Ni(CO)₄裂解在基體上沉積鎳涂層，涂層厚度為1～10nm的原子厚度。

3.根據權利要求書1所述的MOCVD納米鎳涂層的制備裝置，其特征在于包括鎳粉與CO反應生成Ni(CO)₄的裝置，Ni(CO)₄裂解沉積鎳涂層的裝置和尾氣處理及循環利用的裝置，CO既作為羰基鎳蒸汽的載體又作為生成羰基鎳的反應物和羰基鎳裂解的產物。

4.根據權利要求書1所述的MOCVD納米鎳涂層的制備裝置，其特征在于利用截止閥和針閥控制氣體流速和發應的進度，其中在裂解裝置上另設有N₂通入口和液氮冷阱接入口。

5.根據權利要求書1所述的MOCVD納米鎳涂層的制備裝置，其特征在于鎳粉與CO反應生成Ni(CO)₄的裝置利用水浴加熱；沉積基臺內設有加熱電阻，溫度可控并可維持穩定，基臺上部2～5cm罩有羰基鎳蒸汽楔形出口。

6.根據權利要求書1所述的MOCVD納米鎳涂層的制備裝置，其特征在于有一管道將Ni(CO)₄裂解沉積鎳涂層的裝置與盛有醇溶液的閉口容器相聯，該管道一端伸長到裂解裝置頂部，另一端接入裝有盛有醇溶液中，且在醇溶液上部有管道將剩余氣體循環接入羰基鎳生成裝置。