[發明專利]標記分段方法及應用其的半導體結構制造方法

有效

• 申請號: 201410150885.3
• 申請日: 2014-04-15
• 公開（公告）號: CN105023911B
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發明（設計）人: 劉恩銓;黃于盈;李仁修;陳美蓁;陳雅玲;王怡靜;黃志明
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 史新宏

在此提供一種標記分段方法及一種應用所述標記分段方法的半導體結構制造方法。所述標記分段方法包括下列步驟。首先，通過處理器識別形成于基板上的線段，其中線段分別具有寬度WS，并以間隔SS彼此分隔開來。接著，通過處理器設置標記于線段上。此一步驟包含通過處理器調整標記的寬度WM及間隔SM，使WM等于m(WS+SS)+WS或m(WS+SS)+SS，且WM+SM等于n(WS+SS)，其中m、n為整數。

技術領域

本說明書涉及一種標記分段方法及一種應用所述標記分段方法的半導體結構制造方法。

背景技術

半導體結構往往包括多個在不同步驟中形成的層狀結構。這些層狀結構需要彼此對準，以確保半導體結構的功能。并且，一般來說是一次性地在一基板上形成多個半導體結構的相同構成部分，這些構成部分也需要對應地形成在各半導體結構的相同位置。要達成這些目標，一種常見的方法是使用標記來進行對準。標記可以是與前面形成的某一層狀結構同時形成的特征物，或以其它步驟額外形成的特征物。或者，標記可包括前面形成的某一層狀結構的部分特征物。又或者，標記可以前述各者加以定義。所述特征物例如為十字結構或線段等等。隨著半導體結構的尺寸縮小，對準步驟變得更加重要，卻也更難以精確地進行。

發明內容

本說明書提供一種標記分段方法，可用于以特征物來設置標記。本說明書亦提供一種應用此種標記分段方法的半導體結構制造方法。

根據一些實施例，標記分段方法包括下列步驟。首先，通過一處理器識別形成于一基板上的多個線段，其中所述線段分別具有一寬度WS，并以一間隔SS彼此分隔開來。接著，通過處理器設置多個標記于線段上，包含：(1)通過處理器調整各標記的一寬度WM，使WM等于m(WS+SS)+WS或m(WS+SS)+SS，其中m為整數；及(2)通過處理器調整兩相鄰標記的一間隔SM，使WM+SM等于n(WS+SS)，其中n為整數。