[發(fā)明專利]扁平狀和柱狀金屬微顆粒的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410149411.7
• 申請日: 2014-04-12
• 公開（公告）號: CN104162677A
• 公開（公告）日: 2014-11-26
• 發(fā)明（設計）人: 劉本東;蘇彥強
• 申請（專利權）人: 北京工業(yè)大學
• 主分類號: B22F9/00
• 分類號: B22F9/00
• 代理公司: 北京思海天達知識產(chǎn)權代理有限公司 11203
• 代理人: 紀佳

1.扁平狀和柱狀金屬微顆粒的制備方法，其特征在于：采用光刻、電鍍制備金屬顆粒，具體步驟如下：?

S1、首先制備掩膜版，用計算機軟件繪制出要制作的金屬顆粒橫截面形狀，然后轉印在石英玻璃或者膠片上，在曝光時使用；?

S2、選用玻璃、環(huán)氧樹脂板或玻璃纖維板作基底，采用去離子水清洗干凈，并烘干；?

S3、采用濺射工藝或蒸鍍工藝，在基底正面上濺射一層電鍍種子層；所述的電鍍種子層必須為導體；?

S4、在基底正面的電鍍種子層上涂一層正性光刻膠，然后在勻膠臺上勻膠，使光刻膠均勻分布在電鍍種子層上，并烘膠；光刻膠有正性光刻膠和負性光刻膠之分，正性光刻膠是將被曝光部分光刻膠去除，將未被曝光部分光刻膠保留，負性光刻膠相反；根據(jù)掩膜版的圖形選用正性光刻膠或負性光刻膠；?

S5、將涂好光刻膠的基片正確的安裝在曝光機上，并與預先制作好的掩膜版對正，使掩膜版的圖形區(qū)域恰好落在基片的中心位置，然后進行曝光；?

S6、將金屬顆粒圖形轉移到光刻膠上，然后對基片進行烘烤，除去顯影時所吸收的顯影液和殘留水分；?

S7、首先鍍前預處理，將基片放置到稀硫酸中清洗，然后開始電鍍，將基片作為陰極，金屬塊作陽極，分別放置在電鍍浴液中，并通入直流電流或者脈沖直流電，進行電鍍；有光刻膠的部位無變化，無光刻膠的部位會生長出金屬顆粒；?

S8、采用去膠液去除基片上的光刻膠，然后放置在裝有純凈水的容器中，采用超聲清洗機對其進行超聲振動沖擊，使金屬顆粒脫離電鍍種子層，從而得到所需的金屬顆粒；?

S9、基片取出，然后對容器中液體進行過濾得到金屬顆粒，再對金屬顆粒烘干即可。?

2.根據(jù)權利要求1所述的扁平狀和柱狀金屬微顆粒的制備方法，其特征在于：所述的步驟S4中，當制作扁平狀的顆粒，采用BP212?型光刻膠；需制作較大深寬比的顆粒，選用SU8或AZ460系列光刻膠；所述的較大深寬比范圍為2-3。?

3.根據(jù)權利要求1所述的扁平狀和柱狀金屬微顆粒的制備方法，其特征在于：所述的步驟S7中所采用的電鍍用化學鍍代替。?