[發(fā)明專利]一種具有電極保護區(qū)的四元系發(fā)光二極管及制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410147493.1
• 申請日: 2014-04-14
• 公開（公告）號: CN104979444A
• 公開（公告）日: 2015-10-14
• 發(fā)明（設計）人: 李濤;陳凱軒;彭紹文;謝昆江;鄔新根
• 申請（專利權）人: 廈門乾照光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/22;H01L33/00
• 代理公司: 廈門市新華專利商標代理有限公司 35203
• 代理人: 廖吉保;唐紹烈

1.一種具有電極保護區(qū)的四元系發(fā)光二極管，其特征在于，在基板一面生長發(fā)光結(jié)構，在發(fā)光結(jié)構上形成第一電極，在第一電極四周形成保護區(qū)，在保護區(qū)外側(cè)四周形成粗化層，保護區(qū)將第一電極與粗化層隔斷；在基板另一面形成第二電極。

2.如權利要求1所述的一種具有電極保護區(qū)的四元系發(fā)光二極管，其特征在于，所述保護區(qū)的材質(zhì)為光刻膠或聚酰胺。

3.一種具有電極保護區(qū)的四元系發(fā)光二極管制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

一，在基板上形成發(fā)光結(jié)構；

二，在發(fā)光結(jié)構上形成第一電極，經(jīng)熱處理方式使第一電極與發(fā)光結(jié)構進行融合；

三，融合后經(jīng)過光刻工藝形成保護層；

四，經(jīng)過粗化工藝，使發(fā)光區(qū)形成粗化層，并在電極四周形成保護區(qū)，保護區(qū)將第一電極與粗化層隔斷；

五，在基板的另一面形成第二電極。

4.如權利要求3所述的一種具有電極保護區(qū)的四元系發(fā)光二極管制作方法，其特征在于，所述保護區(qū)的材質(zhì)為光刻膠或聚酰胺。

5.如權利要求3所述的一種具有電極保護區(qū)的四元系發(fā)光二極管制作方法，其特征在于，所述熱處理溫度介于300℃-900℃。

6.如權利要求3所述的一種具有電極保護區(qū)的四元系發(fā)光二極管制作方法，其特征在于，第一電極材料為金、金鈹、金鋅、鈦、鋁金屬材料中的一種或多種。

7.如權利要求3所述的一種具有電極保護區(qū)的四元系發(fā)光二極管制作方法，其特征在于，第二電極材料為金、金鍺、鎳金屬材料中的一種或多種。