[發(fā)明專利]熒光猝滅體系用于潛在指紋顯現(xiàn)的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410146802.3 | 申請日: | 2014-04-13 |
| 公開(公告)號: | CN103919558A | 公開(公告)日: | 2014-07-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王利華;胡軍成;陳歡;黃正喜 | 申請(專利權(quán))人: | 中南民族大學(xué) |
| 主分類號: | A61B5/117 | 分類號: | A61B5/117 |
| 代理公司: | 武漢宇晨專利事務(wù)所 42001 | 代理人: | 余曉雪;王敏鋒 |
| 地址: | 430074 湖北*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 熒光 體系 用于 潛在 指紋 顯現(xiàn) 方法 | ||
1.一種熒光猝滅體系用于潛在指紋顯現(xiàn)的方法,其步驟如下:
先制備熒光猝滅體系,所述熒光猝滅體系的猝滅狀態(tài)可被指紋成分破壞;然后將其噴、涂到各種物品上,有指紋的部分,指紋成分破壞所述熒光猝滅體系的猝滅狀態(tài),使熒光再現(xiàn)從而顯現(xiàn)指紋;
所述的熒光猝滅體系包括熒光物質(zhì)和能夠?qū)晒馕镔|(zhì)的熒光猝滅的物質(zhì)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:
所述熒光物質(zhì)包括能夠受激發(fā)光的量子點(diǎn)、碳點(diǎn)、熒光素、染料、席夫堿類化合物、芳香族氨基酸、鈣黃綠素藍(lán)、聚乙烯吡咯烷酮、8-羥基喹啉鋁、二苯乙烯熒光藍(lán)-S、水楊基熒光酮、諾氟沙星、苯基熒光酮。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于:
所述量子點(diǎn)包括修飾或者不修飾的氧化鋅、硫化鋅、二氧化鈦、硒化鎘、硫化鎘、碲化鎘。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于:
所述量子點(diǎn)表面使用巰基乙酸、DNA、RNA、氨基酸、蛋白質(zhì)或酶進(jìn)行修飾。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:
所述熒光素為熒光素、5-羧基熒光素、6-羧基熒光素中的一種或兩種以上的任意比例混合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:
所述能夠?qū)晒馕镔|(zhì)的熒光猝滅的物質(zhì)包括納米金、納米銀、銀離子、量子點(diǎn)、銅離子、鎳離子、鋅離子、鐵離子、鉬(Ⅵ)離子、碳點(diǎn)、DNA、RNA、氨基酸、蛋白質(zhì)、酶、抗壞血酸、錳離子。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于:
所述納米金表面使用巰基乙酸、DNA、RNA、氨基酸、蛋白質(zhì)或酶進(jìn)行修飾。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:
所述熒光猝滅體系選自納米金-熒光素?zé)晒忖珞w系、水溶性CdTe量子點(diǎn)-銀離子熒光猝滅體系、碳點(diǎn)-銅離子熒光猝滅體系、硫化鋅量子點(diǎn)-鎳離子熒光猝滅體系、納米銀-染料熒光猝滅體系、納米銀-熒光素?zé)晒忖珞w系、納米銀-熒光染料曙紅Y熒光猝滅體系、納米銀-聚乙烯吡咯烷酮熒光猝滅體系、納米銀-8-羥基喹啉鋁熒光猝滅體系、納米銀-諾氟沙星熒光猝滅體系、銅離子-席夫堿類化合物熒光猝滅體系、芳香族氨基酸-抗壞血酸熒光猝滅體系、鈣黃綠素藍(lán)-錳離子熒光猝滅體系、鎳離子-吖啶橙-曙紅Y熒光猝滅體系、鋅離子-二苯乙烯熒光藍(lán)-S熒光猝滅體系、鐵離子-二苯乙烯熒光藍(lán)-S熒光猝滅體系、鉬(Ⅵ)離子-水楊基熒光酮熒光猝滅體系或錳(Ⅱ)離子-苯基熒光酮熒光猝滅體系。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于:
所述熒光猝滅體系選自納米金-熒光素?zé)晒忖珞w系、納米銀-熒光素?zé)晒忖珞w系、水溶性CdTe量子點(diǎn)-銀離子熒光猝滅體系、碳點(diǎn)-銅離子熒光猝滅體系。
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